[發(fā)明專利]一種激光摻雜SE電池圖形精度的檢測方法

有效

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• 申請日: 2021-01-11
• 公開（公告）號: CN112768365B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設計）人: 王貴梅;王玉肖;張建軍
• 申請（專利權）人: 晶澳太陽能有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L31/18
• 代理公司: 北京市萬慧達律師事務所 11111
• 代理人: 趙越

1.一種激光摻雜SE電池圖形精度的檢測方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1，分別測量待測電池片的激光線PT值、激光線間距值、邊距偏移值、對角線差值、激光線的單側偏移值、激光線的中線偏移值；

步驟S2，分別判斷上個步驟所測量的六種參數是否滿足各自對應的精度要求；所述精度要求是根據SE電池圖形的設計尺寸確定的；

所述激光線PT值為：硅片兩側的最外側激光線之間的距離；

所述激光線間距值包括：任意相鄰的兩條激光線之間的距離；

所述邊距偏移值包括：激光線最外側與電池片四周邊部之間距離的測量值與理論值的差值；

所述對角線差值為：四個定位點所形成的兩條對角線的長度之差；

所述激光線的單側偏移值包括：所有激光線與第一條激光線之間距離的測量值與理論值的差值；所述第一條激光線為待測硅片一側的起始位置的激光線；

所述激光線的中線偏移值包括：所有激光線與定位點平分線之間距離的測量值與理論值的差值；所述定位點平分線為四個定位點所形成的四邊形的平分線。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述待測電池片為經過制絨、擴散、濕刻、正面鍍氮化硅減反射膜、激光摻雜工序的電池片。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，測量待測電池片的激光線PT值，包括如下步驟：

在激光線上選取五個點位，分別在五個點位上測量激光線PT值；

相應地，所述激光線PT值所對應的精度要求為：五個點位的測量值與理論值之間的差值均不超過20微米，且五個點位的測量值中的最大值與最小值之差不超過30微米。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光線間距值所對應的精度要求為：測量值與理論值相差不超過30微米。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述邊距偏移值所對應的精度要求為：不超過0.2毫米。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對角線差值所對應的精度要求為：不超過35微米。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，測量激光線的單側偏移值，包括如下步驟：

測量起始位置的第一條激光線與第i+1條激光線之間的距離Li；其中i＝1，2，3，…，n；激光線的總數為n+1條；

根據第一條激光線與第i+1條激光線之間距離的理論值Di，計算單側偏移值D1-L1，D2-L2，D3-L3，…，Dn-Ln；

所述單側偏移值所對應的精度要求為：任意∣Di-Li∣不超過15微米。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，測量激光線的中線偏移值，包括如下步驟：

測量所有激光線與定位點平分線之間的距離Mj；其中j＝1，2，3，…，n，n+1；激光線的總數為n+1條；

根據每一條激光線與定位點平分線之間距離的理論值Nj，計算中線偏移值Nj-Mj；

所述中線偏移值所對應的精度要求為：任意∣Nj-Mj∣不超過15微米。

9.一種電池片的制備方法，其特征在于，包括：

電池片經過制絨、擴散、濕刻、正面鍍氮化硅減反射膜、激光摻雜工序；

采用如權利要求1-7中任一項所述的檢測方法檢測電池片的SE電池圖形精度；

對于滿足精度要求的電池片，其對應的激光機臺生產的電池片正常下傳到產線的下一工序；對于不滿足精度要求的電池片，其對應的激光機臺需進行檢修。