[發明專利]一種鈣鈦礦太陽能電池、其界面修飾層及修飾層制備方法

有效

• 申請號: 202110030628.6
• 申請日: 2021-01-11
• 公開（公告）號: CN112786790B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發明（設計）人: 韓宏偉;梅安意;榮耀光;胡玥;戴沁萱;李代宇;劉超
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H10K85/10
• 分類號: H10K85/10;H10K30/50;H10K99/00;H10K71/12
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 李智

1.一種界面修飾層，其特征在于，為鈣鈦礦太陽能電池中鈣鈦礦吸光層和正極界面處的界面修飾層，用于同時實現鈣鈦礦吸光層和正極界面處空穴的傳輸和提取，以及抑制鈣鈦礦吸光層和正極界面處的載流子復合的功能，其材料包括納米碳材料和高分子聚合物；其中，納米碳材料所占質量百分比大于5%、且小于40%，用于提取空穴；所述高分子聚合物包括非空穴良導體聚合物，用于阻擋鈣鈦礦吸光層與正極界面處的載流子復合；所述界面修飾層的厚度大于50nm、且小于500nm。

2.根據權利要求1所述的界面修飾層，其特征在于，所述納米碳材料包括具有空穴提取能力的納米碳顆粒，且所述納米碳顆粒的尺寸小于100nm。

3.根據權利要求2所述的界面修飾層，其特征在于，所述納米碳顆粒為炭黑、活性炭或氧化石墨烯。

4.根據權利要求1所述的界面修飾層，其特征在于，所述非空穴良導體聚合物為聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚丙烯酸樹脂、聚氨酯、聚乙二醇或聚乙烯吡咯烷酮。

5.根據權利要求1-4任意一項所述的界面修飾層，其特征在于，應用于鈣鈦礦太陽能電池吸光層與正極界面。

6.權利要求1所述的界面修飾層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、將納米碳材料、高分子聚合物以及高分子聚合物的良溶劑混合，得到均勻的分散液；

S2、將所述分散液沉積于鈣鈦礦薄膜上，去除溶劑后，得到界面修飾層。

7.一種鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，包括依次堆疊的負極、電子傳輸層、吸光層、權利要求1-5任意一項所述的界面修飾層以及正極。

8.根據權利要求7所述的鈣鈦礦太陽能電池，其特征在于，所述吸光層的材料為鹵化物鈣鈦礦材料；在所述界面修飾層中，納米碳材料用于提取空穴；高分子聚合物用于阻擋所述吸光層與正極界面的載流子復合。