[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202110029917.4
• 申請日: 2021-01-11
• 公開（公告）號: CN113380889A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 西脅達也;可知剛
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/45;H01L29/423;H01L29/417
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 房永峰

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

第一電極；

半導體層，設置在所述第一電極之上，包括與所述第一電極電連接的第一導電型的第一半導體區域、設置在所述第一半導體區域之上的第二導電型的第二半導體區域、以及設置在所述第二半導體區域之上的第一導電型的第三半導體區域；

第一導電部，包括經由第一絕緣部設置在所述第一半導體區域中的嵌入電極部；

第二導電部，包括經由第二絕緣部設置在所述嵌入電極部之上、且隔著柵極絕緣部而與所述第二半導體區域對置的柵極電極部；以及

第二電極，設置在所述半導體層之上，并與所述第二半導體區域以及所述第三半導體區域電連接，

所述第一導電部與所述第二導電部電連接，

所述第一導電部的電阻比所述第二導電部的電阻大。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

還具備設置在所述半導體層之上并與所述第一導電部以及所述第二導電部電連接的第三電極，

所述第一導電部還包括第一布線部，該第一布線部電連接在所述嵌入電極部與所述第三電極之間并設置在所述半導體層之上，

所述第二導電部還包括第二布線部，該第二布線部電連接在所述柵極電極部與所述第三電極之間并設置在所述半導體層之上。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

還具備電阻體，

所述第三電極電連接在所述電阻體與所述第一導電部之間以及所述電阻體與所述第二導電部之間，

所述第一導電部的所述電阻比所述電阻體的電阻大。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一導電部還包括電連接在所述第一布線部與所述第三電極之間的布線電阻，

所述布線電阻的電阻率比所述第一布線部的電阻率高。

5.根據權利要求1～4中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

還具備電連接在所述第一導電部與所述第二導電部之間的雙向的齊納二極管。

6.根據權利要求1～4中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一導電部還包括線圈。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，還具備：

第一金屬部件，設置在所述第一電極之下，并與所述第一電極電連接；

第二金屬部件，離開所述第一金屬部件，并與所述第二電極電連接；以及

第三金屬部件，離開所述第一金屬部件以及所述第二金屬部件，與所述第二導電部電連接，并經由線圈而與所述第一導電部電連接。

8.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

第一電極；

半導體層，設置在所述第一電極之上，包括與所述第一電極電連接的第一導電型的第一半導體區域、設置在所述第一半導體區域之上的第二導電型的第二半導體區域、以及設置在所述第二半導體區域之上的第一導電型的第三半導體區域；

第一導電部，包括經由第一絕緣部設置在所述第一半導體區域中的嵌入電極部、以及與所述嵌入電極部串聯連接的線圈；

第二導電部，包括經由第二絕緣部設置在所述嵌入電極部之上、且隔著柵極絕緣部而與所述第二半導體區域對置的柵極電極部，并與所述第一導電部電連接；以及

第二電極，設置在所述半導體層之上，并與所述第二半導體區域以及所述第三半導體區域電連接。

9.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

第一金屬部件；

第一電極，設置在所述第一金屬部件之上，并與所述第一金屬部件電連接；

半導體層，設置在所述第一電極之上，包括與所述第一電極電連接的第一導電型的第一半導體區域、設置在所述第一半導體區域之上的第二導電型的第二半導體區域、以及設置在所述第二半導體區域之上的第一導電型的第三半導體區域；

第一導電部，包括經由第一絕緣部設置在所述第一半導體區域中的嵌入電極部；

第二導電部，包括經由第二絕緣部設置在所述嵌入電極部之上、且隔著柵極絕緣部而與所述第二半導體區域對置的柵極電極部；

第二電極，設置在所述半導體層之上，并與所述第二半導體區域以及所述第三半導體區域電連接；

第二金屬部件，離開所述第一金屬部件，并與所述第二電極電連接；以及

第三金屬部件，離開所述第一金屬部件以及所述第二金屬部件，與所述第二導電部電連接，并經由線圈而與所述第一導電部電連接。