[發明專利]一種鉿摻雜氧化銦薄膜晶體管及其制備方法

在審

• 申請號: 202110028416.4
• 申請日: 2021-01-11
• 公開（公告）號: CN112908852A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 李文武;劉勁馳;楊佳燕;高彩芳;褚君浩
• 申請（專利權）人: 華東師范大學
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L29/24
• 代理公司: 上海藍迪專利商標事務所(普通合伙) 31215
• 代理人: 徐筱梅;張翔

1.一種鉿摻雜氧化銦薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，該方法包括以下具體步驟：

步驟1：鉿摻雜氧化銦前驅體溶液的制備

稱取硝酸銦In(NO₃)₃和氯化鉿HfCl₄粉末進行混合，得到混合物；使氯化鉿的摩爾百分比為混合物的1%-5%；再將混合物溶于去離子水，使其中硝酸銦的濃度為0.1mol/L，在室溫下磁力攪拌6-12 h形成澄清透明的鉿摻雜氧化銦前驅體溶液；

步驟2：鉿摻雜氧化銦半導體層薄膜的制備

將重摻雜具有100nm二氧化硅的硅襯底分別浸沒于去離子水、丙酮和異丙醇中進行超聲波清洗10 min，用氮氣槍將所述的硅襯底吹干之后，再采用等離子體清洗方法進一步清洗襯底表面，增加表面活性；然后采用溶膠-凝膠方法，在所述的硅襯底上旋涂步驟1得到的鉿摻雜氧化銦前驅體溶液，旋涂的轉速為5000 rpm，時間為25 s；旋涂結束后，將所述的硅襯底置于150℃的加熱板上預熱10 min，蒸干溶劑，再升溫至290℃退火30 min，退火氛圍為空氣；在所述硅襯底上制得鉿摻雜氧化銦半導體層薄膜；

步驟3：源、漏電極的制備

將掩膜版置于步驟2得到的制備有鉿摻雜氧化銦半導體層薄膜的硅襯底表面，采用真空熱蒸發法，將金屬鋁蒸鍍到鉿摻雜氧化銦半導體層薄膜上形成源、漏電極，制得所述鉿摻雜氧化銦薄膜晶體管。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟2所述等離子體清洗的氣體源為氧氣，氣體流量為0.4-0.6NL/min，清洗功率為50W，時間為3 min。

3.一種權利要求1所述方法制得的鉿(Hf)摻雜氧化銦薄膜晶體管。