[發明專利]基于碳化硅平面型MOS結構的肖特基二極管有效
| 申請號： | 202110025615.X | 申請日： | 2021-01-08 |
| 公開（公告）號： | CN112838131B | 公開（公告）日： | 2022-02-11 |
| 發明（設計）人： | 夏華忠;黃傳偉;李健;諸建周;呂文生;談益民 | 申請（專利權）人： | 江蘇東海半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京盛詢知識產權代理有限公司 11901 | 代理人： | 郭成文 |
| 地址： | 214142 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 碳化硅 平面 mos 結構 肖特基 二極管 | ||
1.一種基于碳化硅平面型MOS結構的肖特基二極管，其特征是：在所述肖特基二極管的截面上，包括半導體襯底(1)以及設置于所述半導體襯底(1)上的P型阱區(2)，在所述P型阱區(2)的一側設置負極區結構，在所述P型阱區(2)的另一側設置正極區結構，且P型阱區(2)與位于所述P型阱區(2)上的柵結構區接觸，在所述柵結構區上設置柵極金屬層(9)，所述柵極金屬層(9)與柵結構區歐姆接觸；
所述負極區結構包括與P型阱區(2)接觸的N型輕摻雜負極區(3)、位于所述N型輕摻雜負極區(3)內的N型重摻雜負極區(4)以及位于所述N型重摻雜負極區(4)正上方的負極金屬層(10)，所述負極金屬層(10)與N型重摻雜負極區(4)歐姆接觸；
所述正極區結構包括與P型阱區(2)的N型輕摻雜正極區(5)、位于所述N型輕摻雜正極區(5)內的正極金屬區(6)以及位于正極金屬區(6)上方的正極金屬層(8)，所述正極金屬層(8)與正極金屬區(6)電連接。
2.根據權利要求1所述的基于碳化硅平面型MOS結構的肖特基二極管，其特征是：所述柵結構區包括多晶硅層(11)以及位于所述多晶硅層(11)下方的高介電常數絕緣層(7)，所述多晶硅層(11)與柵極金屬層(9)歐姆接觸。
3.根據權利要求1所述的基于碳化硅平面型MOS結構的肖特基二極管，其特征是：所述半導體襯底(1)包括SiC襯底。
4.根據權利要求1所述的基于碳化硅平面型MOS結構的肖特基二極管，其特征是：所述負極金屬層(10)與柵極金屬層(9)為同一工藝層，負極金屬層(10)、柵極金屬層(9)包括銅或鋁。
5.根據權利要求1所述的基于碳化硅平面型MOS結構的肖特基二極管，其特征是：所述正極金屬層(8)、柵極金屬層(9)為同一工藝層，正極金屬層(8)、柵極金屬層(9)包括銅或鋁。
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