[發明專利]一種光電轉換裝置的形成方法有效

申請號：	202110022527.4	申請日：	2021-01-08
公開（公告）號：	CN112885931B	公開（公告）日：	2022-09-06
發明（設計）人：	尤小月	申請（專利權）人：	廣東順德僑安電子有限公司
主分類號：	H01L33/00	分類號：	H01L33/00;H01L31/0352;H01L31/0224
代理公司：	北京高航知識產權代理有限公司 11530	代理人：	王龐
地址：	528000 廣東省佛山市順德區容桂容***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種光電轉換裝置形成方法
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【說明書】：

一種光電轉換裝置的形成方法，包括：提供P?型半導體襯底；N?型光電二極管摻雜區，P+型空穴累積區，N型電荷保持區，P型電荷阻擋區，位于柵極絕緣層上方的傳輸柵電極、倍增柵電極、讀取柵電極，復位柵電極結構，懸浮摻雜區，包括N+型子懸浮摻雜區和N?型子懸浮摻雜區，所述N+型子懸浮摻雜區包圍所述N?型子懸浮摻雜區，N+型復位漏極區，可有效抑制了N?型光電二極管摻雜區至N+型復位漏極區的漏電，提高電學性能。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種光電轉換裝置及其形成方法。

背景技術

光電轉換裝置的原理是光子將能量傳遞給電子使其運動從而形成電流，可用于固態成像裝置。被攝景物通過攝像機的光學系統在光電靶上成像，由于光像各點亮度不同，因而使靶面各單元受光照的強度不同，導致靶面各單元的電阻值不同。與較亮像素對應的靶單元阻值較小，與較暗像素對應的靶單元阻值較大，這樣一幅圖像上各像素的不同亮度就表現為靶面上各單元的不同電阻值，原來按照明暗分布的“光像”就變成了相應的“電像”。

然而，現有的圖像傳感器的電學性能仍有待提高。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種光電轉換裝置及其形成方法，可獲得優良的電學性能，應用于固態成像裝置，以提高穩定性。

為解決上述問題，本發明提供一種光電轉換裝置，包括：P-型半導體襯底；

N-型光電二極管摻雜區，設置于所述P-型半導體襯底中，P+型空穴累積區設置在所述N-型光電二極管摻雜區和所述P-型半導體襯底的上表面之間；

N型電荷保持區，設置于所述P-型半導體襯底中，P型電荷阻擋區設置在所述N型電荷保持區和所述P-型半導體襯底的上表面之間；

位于所述P型電荷阻擋區上方的柵極絕緣層，以及位于所述柵極絕緣層上方的傳輸柵電極、倍增柵電極、讀取柵電極；

復位柵電極結構，設置于所述P-型半導體襯底中，包括復位柵電極和復位柵電極絕緣層；

懸浮摻雜區，設置于所述P-型半導體襯底中，包括N+型子懸浮摻雜區和N-型子懸浮摻雜區，所述N+型子懸浮摻雜區包圍所述N-型子懸浮摻雜區；

N+型復位漏極區，設置于所述P-型半導體襯底中；

所述N+型復位漏極區和所述N型電荷保持區分別位于所述復位柵電極結構的兩側，所述懸浮摻雜區位于所述復位柵電極結構的下方，所述懸浮摻雜區和所述N-型光電二極管摻雜區分別位于所述N型電荷保持區的兩側。

可選的，所述N+型子懸浮摻雜區和所述N-型子懸浮摻雜區為磷雜質摻雜，所述N+型子懸浮摻雜區的雜質濃度為5.0×10¹⁷cm^-3，所述N-型子懸浮摻雜區的雜質濃度為5.0×10¹⁶cm^-3。