[發(fā)明專利]一種用于半導體電流密度反演的磁場測試裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110017165.X
• 申請日: 2021-01-07
• 公開（公告）號: CN112834894B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發(fā)明（設計）人: 曾嶸;周文鵬;余占清;趙彪;吳錦鵬;陳政宇
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R31/28;G01R33/02
• 代理公司: 北京知聯(lián)天下知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11594
• 代理人: 張迎新;史光偉

1.一種用于半導體電流密度反演的磁場測試裝置，其特征在于，包括磁場測試組件和壓接組件；

所述壓接組件壓接被測半導體芯片；

所述磁場測試組件對壓接的被測半導體芯片進行磁場強度測定；

所述磁場測試組件包括驅(qū)動裝置、從動裝置以及磁場強度測定件；

所述磁場強度測定件設置在所述從動裝置的底端；

所述從動裝置的底端靠近被測半導體芯片的外圍設置；

所述驅(qū)動裝置與所述從動裝置連接；

所述從動裝置包括第一轉(zhuǎn)盤、第二轉(zhuǎn)盤和轉(zhuǎn)盤連接件；

所述第一轉(zhuǎn)盤設于第二轉(zhuǎn)盤上方；

所述第二轉(zhuǎn)盤靠近被測半導體芯片的外圍設置；

所述磁場強度測定件設置在所述第二轉(zhuǎn)盤上；

所述驅(qū)動裝置與第一轉(zhuǎn)盤連接，所述第一轉(zhuǎn)盤和第二轉(zhuǎn)盤之間采用所述轉(zhuǎn)盤連接件連接；

所述第一轉(zhuǎn)盤上開設第一螺紋孔，所述第二轉(zhuǎn)盤上開設第二螺紋孔；

所述轉(zhuǎn)盤連接件采用連接螺桿；

所述連接螺桿的頂端與所述第一螺紋孔螺紋連接；

所述連接螺桿的底端與所述第二螺紋孔螺紋連接；

所述磁場強度測定件采用多個；

多個所述磁場強度測定件沿第二轉(zhuǎn)盤的頂面間隔排布設置；

所述壓接組件包括支撐架；

所述支撐架包括支撐底板、支撐頂板和多個支撐桿，

所述支撐頂板上放置所述驅(qū)動裝置；

所述支撐底板上開設盲孔；

所述支撐頂板上開設通孔；

多個所述支撐桿的底端與所述盲孔固定連接；

多個所述支撐桿的頂端與所述通孔固定連接；

所述第二轉(zhuǎn)盤上開設多個弧形槽孔，弧形槽孔的數(shù)目與所述支撐桿的數(shù)目對應；

所述支撐桿的桿身對應貫穿弧形槽孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于半導體電流密度反演的磁場測試裝置，其特征在于，所述壓接組件還包括金屬導體、接觸電極；

所述金屬導體包括第一金屬導體和第二金屬導體，所述接觸電極包括第一接觸電極和第二接觸電極；

所述支撐架的頂端放置所述驅(qū)動裝置；

所述支撐架內(nèi)放置被測半導體芯片；

所述被測半導體芯片的頂面從下到上依次接觸第一金屬導體、第一接觸電極；

所述被測半導體芯片的底面從上到下依次接觸第二金屬導體、第二接觸電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于半導體電流密度反演的磁場測試裝置，其特征在于，所述壓接組件還包括散熱器，所述散熱器包括第一散熱器和第二散熱器；

所述第一散熱器的底端與所述被測半導體芯片的頂面接觸，所述第一散熱器的頂端與所述第一金屬導體底端接觸；

所述第二散熱器的頂端與所述被測半導體芯片的底面接觸，所述第二散熱器的底端與所述第二金屬導體的頂端接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于半導體電流密度反演的磁場測試裝置，其特征在于，所述壓接組件還包括引出銅排，所述引出銅排包括第一引出銅排和第二引出銅排；

所述第一引出銅排與所述第一接觸電極連接；

所述第二引出銅排與所述第二接觸電極連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于半導體電流密度反演的磁場測試裝置，其特征在于，所述壓接組件還包括均壓臺，所述均壓臺包括第一均壓臺和第二均壓臺；

所述第一均壓臺的底端接觸所述第一接觸電極，所述第一均壓臺的頂端接觸支撐頂板；

所述第二均壓臺的底端接觸所述支撐底板，所述第二均壓臺的頂端接觸所述第二接觸電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于半導體電流密度反演的磁場測試裝置，其特征在于，所述壓接組件還包括均壓板和均壓球；

所述均壓球設在所述第一均壓臺的上方，均壓球的頂端接觸所述均壓板的底端，均壓球的底端接觸所述第一均壓臺的頂端；

所述均壓板的頂端接觸所述支撐頂板。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于半導體電流密度反演的磁場測試裝置，其特征在于，所述壓接組件還包括散熱水管，所述散熱水管與所述第二散熱器連接。