[發(fā)明專利]一種微波透明熱控薄膜及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110015542.6 | 申請日： | 2021-01-07 |
| 公開（公告）號： | CN112853294B | 公開（公告）日： | 2023-04-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張翔;李垚;孫文海;李文杰;趙九蓬 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業(yè)大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/26;C23C14/30;C23C14/20;C23C14/06;C23C14/10;C23C14/08 |
| 代理公司： | 哈爾濱華夏松花江知識產權代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯靜 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 微波 透明 薄膜 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種微波透明熱控薄膜的制備方法，其特征在于一種微波透明熱控薄膜的太陽吸收率為0.05，紅外發(fā)射率為0.82，微波透過率為90％；其制備方法是按以下步驟完成的：
一、基底材料的表面處理：
依次以丙酮、甲醇和超純水為溶劑對基底材料進行超聲清洗，再烘干，得到表面處理后的基底材料；
二、使用離子束對室溫的表面處理后的基底材料進行轟擊，得到前處理的基底材料；
步驟二中所述的離子束為氮離子束，步驟二中所述的轟擊時間為6min；
三、沉積介質膜：
采用真空鍍膜法在前處理的基底材料表面上沉積介質膜，得到微波透明熱控薄膜；
步驟三中所述的介質膜的材質為SiO2膜、Ti3O5膜和Ge膜，沉積的速率為1.5nm/s，具體沉積順序及沉積厚度見下表所示；
。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于哈爾濱工業(yè)大學，未經哈爾濱工業(yè)大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110015542.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種用于連接器卡槽開口設備
- 下一篇：一種多工位測試分選機的檢測機構總成
- 同類專利
- 專利分類
C23 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
