[發明專利]一種MgB2

在審

• 申請號: 202110009245.0
• 申請日: 2021-01-05
• 公開（公告）號: CN112820470A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 何宇翔;秦經剛;周超;高鵬;李建剛;武玉
• 申請（專利權）人: 中國科學院合肥物質科學研究院
• 主分類號: H01B12/08
• 分類號: H01B12/08;H01B12/12;H01B12/16;H01B13/00;H01B13/02;H01B13/26
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251
• 代理人: 楊學明

1.一種MgB₂ CICC導體制造方法，其特征在于：包括如下步驟：

步驟(1)、導體由MgB₂圓線、銅線、分離銅線、中心冷卻管、不銹鋼包帶保護層、導體鎧甲組成；

步驟(2)、超導電纜由圓形MgB₂股線與銅線逐級絞纜而成，四級纜內加入分離銅線用于調整銅超比，最后一級電纜節距為400-500mm，電纜內加入中心冷卻管作為液氦通道；

步驟(3)、四級子纜表面花包不銹鋼帶，使電流均勻分布，最終電纜需要經過擠壓使電纜緊湊，使MgB₂導體最終空隙率達到22-30％，低空隙率使電纜的硬度增加，防止股線損傷；

步驟(4)、最終電纜表面疊包不銹鋼帶，用于保護超導線，將MgB₂超導電纜穿入不銹鋼鎧甲中組成完整的導體結構；

步驟(5)、MgB₂ CICC導體繞制完成后需要在真空或者Ar氣氛中、600℃-675℃溫度下進行熱處理，形成MgB₂超導相。

2.一種MgB₂ CICC導體結構，其特征在于：該MgB₂ CICC導體結構由權利要求1所述的MgB₂ CICC導體制造方法制得。

3.根據權利要求2所述的一種MgB₂ CICC導體結構，其特征在于：超導電纜主要由圓形MgB₂超導線和銅線組成，一級子纜節距為25-80mm，前四級子纜的相鄰子纜節距比例約為1.1-1.5，導體空隙率限定在22％-30％，緊湊的結構使電纜剛度大、機械穩定性好，使用過程中不會發生性能衰退，電纜工作的環境為5-20K溫度、6T左右磁場強度，較高的溫度使附屬材料工作于正常態，合理的節距比以及材料基體較高接觸電阻，使電纜交流損耗功率顯著低于傳統NbTi與Nb₃Sn CICC導體。