[實用新型]一種多層結構V2O3限流元件有效
| 申請號： | 201220236325.6 | 申請日： | 2012-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN202584969U | 公開（公告）日： | 2012-12-05 |
| 發明（設計）人： | 楊敬義 | 申請（專利權）人： | 成都順康電子有限責任公司;成都安康科技有限公司 |
| 主分類號： | H01C7/02 | 分類號： | H01C7/02 |
| 代理公司： | 成都博通專利事務所 51208 | 代理人： | 謝煥武 |
| 地址： | 611731 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多層 結構 sub 限流 元件 | ||
【權利要求書】：
1.一種多層結構V2O3限流元件，具有陶瓷芯片，所述陶瓷芯片的一端導電連接第一外電極和所述陶瓷芯片的另一端導電連接第二外電極，其特征是所述陶瓷芯片為導電陶瓷層和介質陶瓷層交替疊片構成，所述導電陶瓷層和介質陶瓷層的一端導電連接第一外電極，所述導電陶瓷層和介質陶瓷層的另一端導電連接第二外電極，所述導電陶瓷層至少一層。
2.如權利要求1所述的一種多層結構V2O3限流元件，其特征是所述陶瓷芯片最外層為介質陶瓷層。
3.?如權利要求1所述的一種多層結構V2O3限流元件，其特征是所述第一外電極和第二外電極為將陶瓷芯片兩端頭涂銀后引出內電極再經過燒銀及電鍍沉積法分別鍍上鎳金屬層和錫層而形成的第一外電極和第二外電極。
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