[發明專利]一種氧化鈰顆粒及含其的拋光漿料

在審

• 申請號: 202110004086.5
• 申請日: 2021-01-04
• 公開（公告）號: CN112723405A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 王溯;蔣闖;馬麗;寇浩東;孫濤;章玲然;張德賀;秦長春
• 申請（專利權）人: 上海暉研材料科技有限公司
• 主分類號: C01F17/235
• 分類號: C01F17/235;C01F17/10;C09G1/02;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 上海弼興律師事務所 31283
• 代理人: 王衛彬;何敏清

1.一種氧化鈰顆粒，其特征在于，所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的第一顆粒尺寸為200-500μm，所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的第一顆粒尺寸是所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的顆粒累計分布為1％的粒徑；所述氧化鈰顆粒的拉曼光譜包含在458cm^-1處的峰和583cm^-1處的峰，且其中在458cm^-1處的峰的強度與在583cm^-1處的峰的強度的比率為峰比率，所述氧化鈰顆粒的峰比率為70-90。

2.如權利要求1所述的氧化鈰顆粒，其特征在于，所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的第一顆粒尺寸為220-450μm，例如為226μm、289μm、330μm或410μm；

和/或，所述氧化鈰顆粒的峰比率為75-90，例如為79、83、85或88；

和/或，使用532nm激光收集所述氧化鈰顆粒的拉曼光譜；

和/或，所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的第二顆粒尺寸為30-180μm，例如為60-180μm，再例如為98μm、110μm、120μm或176μm；所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的第二顆粒尺寸是所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的顆粒累計分布為50％的粒徑；

和/或，所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的第三顆粒尺寸為0.5-3.5μm，例如為1-2.5μm，再例如為1.5μm、1.9μm、2.2μm或2.3μm；所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的第三顆粒尺寸是所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的顆粒累計分布為99％的粒徑；

和/或，所述氧化鈰顆粒的顆粒尺寸為20-60nm，例如為40-60nm，再例如為42nm、45nm、50nm或55nm；所述氧化鈰顆粒的顆粒尺寸是所述氧化鈰顆粒的顆粒尺寸是所述氧化鈰顆粒的顆粒累計分布為90％的粒徑；

和/或，所述氧化鈰顆粒的前驅體材料包含碳酸鈰；

和/或，所述氧化鈰顆粒為非濕法工藝制得；

和/或，所述氧化鈰顆粒用于拋光工藝中作為拋光漿料的拋光粒子。

3.如權利要求1所述的氧化鈰顆粒，其特征在于，所述氧化鈰顆粒由以下制備方法制得，所述制備方法包括以下步驟：所述氧化鈰顆粒的前驅體材料經固體生成步驟制得二氧化鈰粉末，將所述二氧化鈰粉末與水混合，研磨，得含所述氧化鈰顆粒的漿料。

4.如權利要求3所述的氧化鈰顆粒，其特征在于，所述制備方法還包括在所述固體生成步驟之前對所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的預處理步驟，例如所述預處理步驟包括對所述氧化鈰顆粒的前驅體材料進行干燥；

和/或，所述混合為在高速旋轉的混合器中混合；

和/或，所述水為去離子水；

和/或，所述二氧化鈰粉末與所述水的質量比為1:(9-49)，例如為1:9；

和/或，所述研磨采用干式研磨機。

5.如權利要求3所述的氧化鈰顆粒，其特征在于，所述固體生成步驟包括煅燒，較佳地，所述煅燒的溫度為500-1000℃，例如為800℃、780℃、750℃、650℃或600℃。

6.如權利要求5所述的氧化鈰顆粒，其特征在于，所述煅燒包含一個或多個步驟，例如所述煅燒為單步驟煅燒、二步驟煅燒或三步驟煅燒，再例如為單步驟煅燒。