[發明專利]半導體器件和制造方法

有效

• 申請號: 202110002382.1
• 申請日: 2021-01-04
• 公開（公告）號: CN113156578B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發明（設計）人: 翁崇銘;余振華;劉重希;蔡豪益;謝政杰;郭鴻毅;戴志軒;林華奎;于宗源;徐敏翔
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G02B6/10
• 分類號: G02B6/10
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 陳蒙

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

去除第一光子集成電路器件的一部分以形成開口，作為到所述第一光子集成電路器件內的光柵耦合器的光路；

利用填充材料來填充所述開口；以及

在所述填充材料之上形成第一重新分布結構，其中，所述第一重新分布結構的第一電介質層接觸所述填充材料。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在載體襯底上形成貫穿通孔；

將所述第一光子集成電路器件與所述貫穿通孔相鄰放置在所述載體襯底上；以及

利用封裝劑來封裝所述貫穿通孔和所述第一光子集成電路器件，其中，形成所述第一重新分布結構在所述封裝劑之上形成所述第一重新分布結構。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括：在形成所述第一重新分布結構之前，對所述填充材料、所述貫穿通孔和所述封裝劑進行平坦化。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括：在所述第一光子集成電路器件的與所述第一重新分布結構相反的一側形成第二重新分布結構。

5.根據權利要求4所述的方法，還包括：將第一電子集成電路附接到所述第一重新分布結構。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述填充材料包括聚酰亞胺。

7.一種半導體器件，包括：

第一光子集成電路，所述第一光子集成電路包括：

半導體襯底；

波導，形成在所述半導體襯底內；

光柵耦合器，形成在所述半導體襯底內；

填充材料，覆蓋在所述光柵耦合器上；以及

外部接觸件，與所述填充材料齊平；以及

重新分布結構，覆蓋在所述填充材料和所述外部接觸件上，其中，所述重新分布結構的電介質層接觸所述填充材料。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，還包括：封裝劑，圍繞所述第一光子集成電路。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，還包括：貫穿通孔，從所述封裝劑的第一側延伸到所述封裝劑的第二側。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，還包括：電子集成電路，結合到所述重新分布結構。

11.根據權利要求9所述的半導體器件，還包括：第一半導體管芯，位于所述封裝劑內。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，還包括：電子集成電路，結合到所述重新分布結構。

13.根據權利要求7所述的半導體器件，還包括：光纖，位于所述重新分布結構之上。

14.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述填充材料是聚酰亞胺。

15.一種半導體器件，包括：

光子集成電路，包括：

第一波導，在襯底之上；以及

第二波導，至少部分地在所述第一波導之上；以及

重新分布結構，覆蓋在所述第二波導上，所述重新分布結構具有與所述第二波導的表面共面的表面，其中，所述重新分布結構的電介質層接觸所述第二波導。

16.根據權利要求15所述的半導體器件，還包括：

封裝劑，封裝所述光子集成電路；以及

貫穿通孔，延伸穿過所述封裝劑。

17.根據權利要求16所述的半導體器件，還包括：第一半導體管芯，在所述封裝劑內。

18.根據權利要求17所述的半導體器件，還包括：第二重新分布結構，位于所述第一半導體管芯的與所述重新分布結構相反的一側。