[發明專利]半導體裝置和制造半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 202080040105.3
• 申請日: 2020-06-25
• 公開（公告）號: CN113950741A
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發明（設計）人: 長友浩二
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238;H01L21/762;H01L29/10;H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳孟秋

本發明改善了晶體管性能。根據實施例的半導體裝置設置有將n型晶體管形成區域(Tr1)和p型晶體管形成區域(Tr2)彼此隔離的絕緣膜(12)，其中，n型晶體管形成區域和p型晶體管形成區域中的每一個都設置有形成在半導體基板(11)上的第一方向上的柵電極(13)以及在柵電極的兩側沿不同于第一方向的第二方向形成的源極/漏極區域(22)。在第二方向上從絕緣膜和源極/漏極區域之間的界面到柵電極的端部的距離在n型晶體管形成區域和p型晶體管形成區域之間不同。

技術領域

本公開涉及半導體裝置和制造半導體裝置的方法。

背景技術

近年來，半導體集成電路的高集成度、高速度和低功耗已經取得進展，并且對單個晶體管的性能改進的需求日益增加。此外，隨著晶體管生成的進展，不僅具有二維結構(平面型)的晶體管而且具有三維結構的晶體管已經投入實際使用。

引用列表

專利文獻

專利文獻1：JP 2010-141102 A

專利文獻2：JP 2010-192588 A

發明內容

技術問題

在二維晶體管和三維晶體管中，例如，為了提高晶體管的性能，需要提高載流子遷移率并抑制晶體管特性的變化。

因此，本公開提出了一種能夠改善晶體管性能的半導體裝置和制造半導體裝置的方法。

問題的解決方案

為了解決上述問題，根據本公開的一個方面的半導體裝置包括：絕緣膜，絕緣膜將n型晶體管形成區域和p型晶體管形成區域彼此分開，其中，n型晶體管形成區域和p型晶體管形成區域中的每一個包括：柵電極，形成在半導體基板上的第一方向上；以及源極/漏極區域，源極/漏極區域在不同于第一方向的第二方向上形成在柵電極的兩側，并且在第二方向上從絕緣膜和源極/漏極區域之間的界面到柵電極的端部的距離在n型晶體管形成區域和p型晶體管形成區域之間不同。

附圖說明

[圖1]是示出根據第一實施例的半導體裝置的配置示例的示圖；

[圖2A]是示出載流子遷移率特性的視圖(部分1)；

[圖2B]是示出載流子遷移率特性的視圖(部分2)；

[圖3A]是示出根據第一實施例的半導體裝置的平面形狀的示圖；

[圖3B]是示出根據第一實施例的半導體裝置的另一平面形狀的示圖；

[圖4A]是示出用于制造根據第一實施例的半導體裝置的方法的平面圖(部分1)；

[圖4B]是示出根據第一實施例的半導體裝置的制造方法的截面圖(部分1)；

[圖5A]是示出用于制造根據第一實施例的半導體裝置的另一種方法的平面圖(部分1)；

[圖5B]是示出用于制造根據第一實施例的半導體裝置的另一種方法的截面圖(部分1)；

[圖6A]是示出根據第一實施例的半導體裝置的制造方法的平面圖(部分2)；

[圖6B]是示出根據第一實施例的半導體裝置的制造方法的截面圖(部分2)；

[圖7A]是示出根據第一實施例的用于制造半導體裝置的方法的平面圖(部分3)；

[圖7B]是示出根據第一實施例的半導體裝置的制造方法的截面圖(部分3)；

[圖8A]是示出根據第一實施例的用于制造半導體裝置的方法的平面圖(部分4)；

[圖8B]是示出根據第一實施例的半導體裝置的制造方法的截面圖(部分4)；