[發明專利]具有改進的探測結果的光電探測器在審
| 申請號: | 202080037212.0 | 申請日: | 2020-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN113841256A | 公開(公告)日: | 2021-12-24 |
| 發明(設計)人: | R·梅爾海姆;R·布魯克納;M·雅內爾;K·萊奧 | 申請(專利權)人: | 塞勒銳科有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0232 | 分類號: | H01L31/0232;H01L31/102 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 劉盈 |
| 地址: | 德國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 改進 探測 結果 光電 探測器 | ||
1.用于光譜選擇性地探測電磁輻射的光電探測器(1-8),所述光電探測器具有用于探測電磁輻射的第一波長的第一光電結構元件(100-106、108),所述第一光電結構元件具有:
-第一光腔,所述第一光腔通過兩個彼此間隔開距離的平行的反射鏡層(11、11a、11’、12、12a)形成,第一光腔的長度(L、La)設計為,使得對于第一波長而言在第一光腔中形成與所述第一波長相配設的i階的諧振波(13、13a),和
-至少一個設置在第一光腔中的探測單元(21、21a、22、22a、23),每個探測單元(21、21a、22、22a、23)都包含一個光活性層(210、220、230),所述光活性層(210、220、230)分別這樣設置在第一光腔內,使得所述諧振波(13、13a)的恰好一個振蕩最大值位于所述光活性層(210、220、230)內,
其中,所述第一光電結構元件(100-106、108)的諧振波(13、13a)的階數大于1,
其特征在于,
-在第一光腔中,至少一個光學吸收性的中間層(30、31)分別設置為,使得諧振波(13)的振蕩波節位于所述吸收性的中間層(30、31)中,所述吸收性的中間層(30、31)適合于吸收在第一光腔內的特定電磁波的這樣多的能量,使得所述特定電磁波被消除,所述特定電磁波的波長不同于與第一波長相配設的諧振波長,和/或
-在第一光腔中設置有至少一個光學透明的觸點層(50),所述光學透明的觸點層直接鄰接于所述至少一個探測單元(21、22)中的一個探測單元,所述光學透明的觸點層由能導電的材料制成并且適合于與評估單元導電地連接,所述評估單元適合于對由第一光電結構元件(104)的所述至少一個探測單元產生的電信號進行評估。
2.根據權利要求1所述的光電探測器(1-8),其特征在于,至少一個設置在所述第一光腔中的探測單元(21、21a、22、22a、23)還包含第一電荷傳輸層(211、221、231)和第二電荷傳輸層(212、222、232),在所述第一電荷傳輸層與所述第二電荷傳輸層之間設置有所述光活性層(210、220、230),第一電荷傳輸層(211、221、231)、光活性層(210、220、230)和第二電荷傳輸層(212、222、232)沿著第一光腔的長度彼此相疊地設置。
3.根據權利要求1或2所述的光電探測器(1、3-8),其特征在于,設置在所述第一光腔中的探測單元(21、21a、22、22a、23)的數量對應于所述諧振波(13a、13b)的階數。
4.根據前述權利要求中任一項所述的光電探測器(2),其特征在于,至少一個光學吸收性的中間層(30)設置在所述第一光腔中并且所述至少一個光學吸收性的中間層(30)中的至少一個中間層直接鄰接于所述至少一個探測單元(21)中的一個探測單元,所述至少一個光學吸收性的中間層中的所述至少一個中間層由能導電的材料制成并且適合于與評估單元導電地連接,所述評估單元適合于對由第一光電結構元件(101)的所述至少一個探測單元(21)產生的電信號進行評估。
5.根據前述權利要求中任一項所述的光電探測器(6),其特征在于,所述第一光電結構元件(105)具有至少一個外部觸點(60),所述外部觸點鄰接于所述至少一個探測單元(21、22)中的一個探測單元的外表面,所述外部觸點由能導電的材料制成并且適合于與評估單元導電地連接,所述評估單元適合于對由第一光電結構元件(105)的所述至少一個探測單元產生的電信號進行評估。
6.根據前述權利要求中任一項所述的光電探測器(2、5、6),其特征在于,在所述第一光腔中設置有至少一個光學透明的間距保持層(40),所述間距保持層設置在所述反射鏡層(11、11a、11’、12、12a)中的一個反射鏡層與相鄰于該反射鏡層(11、11a、11’、12、12a)的探測單元(21、22)之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





