[發明專利]用于基于缺陷來確定圖案化過程的特性以減少熱點的方法

在審

• 申請號: 202080031354.6
• 申請日: 2020-03-26
• 公開（公告）號: CN113728276A
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 彭星月;徐端孚;拉斐爾·C·豪厄爾;李青林
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G06F30/398;G03F1/70
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王益

本文描述了用于基于缺陷來優化圖案化過程的方面的方法。例如，一種圖案化過程的源和掩模優化的方法包括：在襯底上獲得具有具備缺陷的閾值概率的部位；限定所述部位周圍的缺陷范圍以包括所述襯底上的圖案的一部分以及與所述圖案的所述部分相關聯的一個或更多個評估點；基于與所述缺陷相關聯的缺陷指標來確定第一成本函數的值；確定針對所述第一成本函數的第一引導函數，其中所述第一引導函數與所述圖案化過程的在所述缺陷范圍內的所述一個或更多個評估部位處的性能指標相關聯；以及基于所述第一成本函數和所述第一引導函數來調整源和/或掩模特性。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年4月25日遞交的美國申請62/838,423的優先權，并且所述美國申請的全部內容通過引用并入本文中。

技術領域

本文中的描述涉及光刻設備和過程，并且更具體地，涉及用于圖案化過程的一個或更多個方面的優化(諸如用于光刻設備或過程中的掩模優化和源優化)的工具。

背景技術

可以將光刻投影設備用在例如集成電路(IC)的制造中。在這種情形中，圖案形成裝置(例如掩模)可以包含或提供對應于IC的單個層的的電路圖案(“設計布局”)，并且這一電路圖案可以通過例如穿過圖案形成裝置上的電路圖案輻射目標部分的方法，被轉移到已經涂覆有輻射敏感材料(“抗蝕劑”)層的襯底(例如硅晶片)上的目標部分(例如包括一個或更多的管芯)上。通常，單個襯底包含被經由光刻投影設備連續地、一次一個目標部分地將電路圖案轉移到其上的多個相鄰目標部分。在一種類型的光刻投影設備中，整個圖案形成裝置上的電路圖案一下子被轉移到一個目標部分上，這樣的設備通常稱作為晶片步進機。在一種替代的設備(通常稱為步進掃描設備)中，投影束沿給定的參考方向(“掃描”方向)在圖案形成裝置上掃描，同時沿與該參考方向平行或反向平行的方向同步移動襯底。圖案形成裝置上的電路圖案的不同部分漸進地轉移到一個目標部分上。因為通常光刻投影設備將具有放大率因子M(通常＜1)，所以襯底被移動的速度F將是投影束掃描圖案形成裝置的速度的M倍?？梢岳鐝囊砸梅绞讲⑷氡疚闹械腢S 6,046,792搜集到關于如本文中所描述的光刻裝置的更多信息。

在將電路圖案從圖案形成裝置轉印至襯底之前，襯底可以經歷各種工序，諸如涂底漆、抗蝕劑涂覆和軟焙烤。在曝光之后，襯底可能經受其它過程，諸如曝光后焙烤(PEB)、顯影、硬焙烤，和轉印后的電路圖案的測量/檢查。工序的這種陣列被用作制造例如IC的裝置的單個層的基礎。襯底隨后可以經歷各種過程，諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等，所有過程都預期最終完成所述器件的單個層。如果在器件中需要若干層，則針對每個層重復整個工序或其變型。最終，在襯底上的每個目標部分中將存在器件。隨后通過諸如切塊或鋸切之類的技術使這些器件彼此分離，由此可以將單獨的器件安裝在載體上、連接至引腳，等等。

如注意到的，微光刻術是集成電路的制造中的核心步驟，其中在襯底上形成的圖案限定了IC的功能元件，諸如微處理器、存儲器芯片等。類似的光刻技術也用于形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)以及其它器件。

隨著半導體制造工藝持續進展，在數十年來，功能元件的尺寸被不斷地降低，同時每一器件的功能元件(諸如晶體管)的數量一直遵循通常稱為“摩爾定律”的趨勢而穩步地增長。在現有技術的情形下，通過使用光刻投影設備來制造器件的層，該光刻投影設備使用來自深紫外(DUV)照射源或極紫外(EUV)照射源的照射將設計布局投影到襯底上，從而產生具有充分地低于100nm的尺寸的獨立的功能元件，即該功能元件的尺寸小于照射源(例如，193nm DUV和13.5nm EUV照射源)的輻射的波長的一半。