[發明專利]基于塊鏈的存儲器命令驗證在審
| 申請號: | 202080023860.0 | 申請日: | 2020-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN113647050A | 公開(公告)日: | 2021-11-12 |
| 發明(設計)人: | A·蒙代洛;A·特羅亞 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | H04L9/06 | 分類號: | H04L9/06;H04L9/08;H04L9/30;G06F12/14;G06F3/06 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 存儲器 命令 驗證 | ||
本公開包含用于對存儲器命令進行塊鏈驗證的設備、方法和系統。實施例包含:存儲器;以及電路系統,其經配置以:接收包含在塊鏈中的塊中的用于驗證待在所述存儲器上執行的命令的命令,其中所述命令包含基于包含在所述塊鏈中的先前塊中的先前命令的反重放部分;使用所述命令的所述反重放部分來驗證所述命令;且在驗證所述命令后在所述存儲器上執行所述命令。
技術領域
本公開大體上涉及半導體存儲器和方法,并且更具體地說,涉及基于塊鏈的存儲器命令驗證。
背景技術
存儲器裝置通常提供為計算機或其它電子裝置中的內部半導體集成電路和/或外部可移除裝置。存在許多不同類型的存儲器,包含易失性和非易失性存儲器。易失性存儲器可能需要電力來維持其數據,且可包含隨機存取存儲器(RAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)和同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)等。非易失性存儲器可通過當未通電時保存所存儲的數據來提供永久性數據,并且可包含NAND閃存存儲器、NOR閃存存儲器、只讀存儲器(ROM),以及電阻可變存儲器,例如相變隨機存取存儲器(PCRAM)、電阻性隨機存取存儲器(RRAM)和磁性隨機存取存儲器(MRAM)等。
存儲器裝置可組合在一起以形成固態驅動器(SSD)、嵌入式多媒體卡(e.MMC),和/或通用閃存存儲(UFS)裝置。SSD、e.MMC和/或UFS裝置可包含非易失性存儲器(例如,NAND閃存存儲器和/或NOR閃存存儲器),和/或可包含易失性存儲器(例如,DRAM和/或SRAM),以及各種其它類型的非易失性和易失性存儲器。非易失性存儲器可用于廣泛范圍的電子應用中,例如個人計算機、便攜式記憶棒、數碼相機、蜂窩式電話、便攜式音樂播放器,例如MP3播放器、電影播放器等。
閃存存儲器裝置可包含將數據存儲在例如浮動柵極的電荷存儲結構中的存儲器單元。閃存存儲器裝置通常使用允許高存儲器密度、高可靠性及低功耗的單晶體管存儲器單元。電阻可變存儲器裝置可包含可基于存儲元件(例如,具有可變電阻的電阻性存儲器元件)的電阻狀態而存儲數據的電阻性存儲器單元。
存儲器單元可布置成陣列,且陣列架構中的存儲器單元可經編程為目標(例如,所要)狀態。舉例來說,電荷可置于閃存存儲器單元的電荷存儲結構(例如,浮動柵極)上或從其移除以將所述單元編程為特定數據狀態。所述單元的電荷存儲結構上的所存儲電荷可指示所述單元的閾值電壓(Vt)??赏ㄟ^感測閃存存儲器單元的電荷存儲結構上的所存儲電荷(例如,Vt)來確定所述單元的狀態。
許多威脅可能會影響存儲器裝置的操作和/或存儲在存儲器裝置的存儲器單元中的數據。此類威脅可包含例如來自黑客或其它惡意用戶的威脅,包含中間人(MITM)攻擊等。此類威脅可能會造成重大經濟損失,和/或可能會引起重大安全和/或安保問題。
發明內容
附圖說明
圖1說明根據本公開的實施例的具有數個物理塊的存儲器陣列的一部分的圖式。
圖2是根據本公開的實施例的包含主機和呈存儲器裝置形式的設備的計算系統的框圖。
圖3說明根據本公開的實施例的可利用基于塊鏈的驗證來驗證的命令的實例。
圖4是根據本公開的實施例的包含主機和存儲器裝置的實例系統的框圖。
圖5是根據本公開的實施例的用于確定數個參數的實例過程的框圖。
圖6是根據本公開的實施例的用于確定數個參數的實例過程的框圖。
圖7是根據本公開的實施例的用于核實證書的實例過程的框圖。
圖8是根據本公開的實施例的用于核實簽名的實例過程的框圖。
圖9是根據本公開的實施例的實例存儲器裝置的框圖。
具體實施方式
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