[發(fā)明專利]一種刻蝕深度獲取方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及激光雷達(dá)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202080005429.3 | 申請(qǐng)日： | 2020-10-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN114698384A | 公開（公告）日： | 2022-07-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱琳;任亞林;汪敬;牛犇;篠原磊磊 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市速騰聚創(chuàng)科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G02B6/13 | 分類號(hào)： | G02B6/13;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京恒博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11528 | 代理人： | 范勝祥 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)留*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 刻蝕 深度 獲取 方法 裝置 存儲(chǔ) 介質(zhì) 激光雷達(dá) | ||
本申請(qǐng)公開一種刻蝕深度獲取方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及激光雷達(dá)，其中方法包括：獲取目標(biāo)刻蝕深度在光信號(hào)的中心波長(zhǎng)下對(duì)應(yīng)的目標(biāo)耦合長(zhǎng)度比值，所述目標(biāo)刻蝕深度為在多個(gè)刻蝕深度中選取的對(duì)波導(dǎo)進(jìn)行刻蝕的任一度量值；當(dāng)所述目標(biāo)耦合長(zhǎng)度比值為比值集合中數(shù)值最小的耦合長(zhǎng)度比值時(shí)，將所述目標(biāo)刻蝕深度確定為對(duì)波導(dǎo)進(jìn)行刻蝕處理的波導(dǎo)刻蝕深度；所述比值集合包括多個(gè)刻蝕深度中各刻蝕深度對(duì)應(yīng)的耦合長(zhǎng)度比值，所述耦合長(zhǎng)度比值為通過各刻蝕深度對(duì)應(yīng)的光折射率以及所述光折射率隨所述中心波長(zhǎng)的偏移變化的敏感程度值得到的。采用本申請(qǐng)，可以保證光耦合器的工作穩(wěn)定性，進(jìn)而保證激光雷達(dá)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
PCT國(guó)內(nèi)申請(qǐng)，說明書已公開。
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