[發(fā)明專(zhuān)利]三維存儲(chǔ)器件中的同軸階梯結(jié)構(gòu)及其形成方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202080003273.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112470275A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張坤;孔翠翠;張中;周文犀 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/11519 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/11519;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11578 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 三維 存儲(chǔ) 器件 中的 同軸 階梯 結(jié)構(gòu) 及其 形成 方法 | ||
公開(kāi)了具有同軸階梯結(jié)構(gòu)的3D存儲(chǔ)器件的實(shí)施例及其形成方法。在一個(gè)示例中,3D存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)和位于存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)中間的同軸階梯結(jié)構(gòu)。同軸階梯結(jié)構(gòu)包括在平面圖中的徑向方向上的多個(gè)同軸區(qū)。多個(gè)同軸區(qū)中的每個(gè)同軸區(qū)包括在平面圖中的切線(xiàn)方向上的多個(gè)階梯。
背景技術(shù)
本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例涉及三維(3D)存儲(chǔ)器件及其制造方法。
通過(guò)改進(jìn)工藝技術(shù)、電路設(shè)計(jì)、編程算法和制造工藝,平面存儲(chǔ)器單元被縮小到更小的尺寸。然而,隨著存儲(chǔ)單元的特征尺寸接近下限,平面工藝和制造技術(shù)變得具有挑戰(zhàn)性且成本高昂。結(jié)果,平面存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)密度接近上限。
3D存儲(chǔ)器架構(gòu)能夠解決平面存儲(chǔ)器單元中的密度限制。3D存儲(chǔ)器架構(gòu)包括存儲(chǔ)器陣列和外圍設(shè)備,用于控制去往和來(lái)自存儲(chǔ)器陣列的信號(hào)。
發(fā)明內(nèi)容
本文公開(kāi)了具有同軸階梯結(jié)構(gòu)的3D存儲(chǔ)器件的實(shí)施例及其形成方法。
在一個(gè)示例中,3D存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)和位于存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)中間的同軸階梯結(jié)構(gòu)。同軸階梯結(jié)構(gòu)包括在平面圖中的徑向方向上的多個(gè)同軸區(qū)。多個(gè)同軸區(qū)中的每個(gè)同軸區(qū)包括在平面圖中的切線(xiàn)方向上的多個(gè)階梯。
在另一示例中,3D存儲(chǔ)器件包括存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)和位于存儲(chǔ)陣列結(jié)構(gòu)中間的同軸階梯結(jié)構(gòu)。同軸階梯結(jié)構(gòu)包括在平面圖中的切線(xiàn)方向上的多個(gè)扇區(qū)。多個(gè)扇區(qū)中的每個(gè)扇區(qū)都包括在平面圖中的徑向方向上的多個(gè)階梯。
在又一示例中,公開(kāi)了一種用于形成3D存儲(chǔ)器件的同軸階梯結(jié)構(gòu)的方法。在包括垂直交錯(cuò)的犧牲層和電介質(zhì)層的電介質(zhì)堆疊的中間,在平面圖中的切線(xiàn)方向形成多個(gè)扇區(qū)。多個(gè)扇區(qū)中的每個(gè)扇區(qū)都處于不同的深度。在多個(gè)扇區(qū)的每個(gè)扇區(qū)中,在平面圖中的徑向方向上朝向多個(gè)扇區(qū)的中心形成多個(gè)階梯,使得多個(gè)扇區(qū)中的每個(gè)階梯處于不同的深度。
附圖說(shuō)明
結(jié)合本文并且形成說(shuō)明書(shū)一部分的附圖示出了本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例,并且與說(shuō)明書(shū)一起進(jìn)一步用于解釋本公開(kāi)內(nèi)容的原理,并且使相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)懗龊褪褂帽竟_(kāi)內(nèi)容。
圖1A示出了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的一些實(shí)施例的具有示例性同軸階梯結(jié)構(gòu)的3D存儲(chǔ)器件的平面圖。
圖1B示出了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的一些實(shí)施例的具有另一示例性同軸階梯結(jié)構(gòu)的示例性3D存儲(chǔ)器件的平面圖。
圖2示出了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的一些實(shí)施例的具有同軸階梯結(jié)構(gòu)的示例性3D存儲(chǔ)器件的頂部前方透視圖。
圖3示出了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的一些實(shí)施例的具有同軸階梯結(jié)構(gòu)的示例性3D存儲(chǔ)器件的側(cè)視圖。
圖4A示出了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的一些實(shí)施例的多個(gè)同軸區(qū)的示例性方案,每個(gè)同軸區(qū)包括多個(gè)階梯。
圖4B示出了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的一些實(shí)施例的多個(gè)同軸區(qū)的另一示例性方案,每個(gè)同軸區(qū)包括多個(gè)階梯。
圖5示出了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的一些實(shí)施例的多個(gè)扇區(qū)的示例性方案,每個(gè)扇區(qū)包括多個(gè)階梯。
圖6A-6H示出了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的各種實(shí)施例的用于形成3D存儲(chǔ)器件的示例性同軸階梯結(jié)構(gòu)的加工過(guò)程。
圖7示出了根據(jù)本公開(kāi)內(nèi)容的一些實(shí)施例的在形成同軸階梯結(jié)構(gòu)時(shí)將多個(gè)扇區(qū)截?cái)嗟讲煌疃鹊氖纠苑桨浮?/p>
圖8是根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成3D存儲(chǔ)器件的示例性同軸階梯結(jié)構(gòu)的方法的流程圖。
圖9是根據(jù)一些實(shí)施例的用于形成3D存儲(chǔ)器件的示例性同軸階梯結(jié)構(gòu)的另一方法的流程圖。
將參考附圖描述本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施例。
具體實(shí)施方式
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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