[發明專利]用以提高2堆疊體3D PCM存儲器的數據吞吐量的編程和讀取偏置和訪問方案

有效

• 申請號: 202080003147.X
• 申請日: 2020-10-23
• 公開（公告）號: CN112470225B
• 公開（公告）日: 2022-12-09
• 發明（設計）人: 劉峻
• 申請（專利權）人: 長江先進存儲產業創新中心有限責任公司
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08;G11C16/24;G11C16/26
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 劉健;張殿慧

1.一種用于訪問三維存儲器的存儲單元的方法，包括：

通過對第一部分字線中的一條字線、第一部分底部單元位線中的一條位線以及第一部分頂部單元位線中的一條位線進行偏置來訪問底部單元陣列的第一底部單元塊的存儲單元以及處于所述底部單元陣列以上的頂部單元陣列的第一頂部單元塊的存儲單元；以及

通過對第二部分字線中的一條字線、第二部分底部單元位線中的一條位線以及第二部分頂部單元位線中的一條位線進行偏置來訪問所述底部單元陣列的從所述第一底部單元塊偏移的第二底部單元塊的存儲單元以及所述頂部單元陣列的從所述第一頂部單元塊偏移的第二頂部單元塊的存儲單元，其中，所述第一部分字線與所述第二部分字線處于同一層且在水平延伸的方向上相互偏移，并且其中，所述第一底部單元塊的底部單元位線與所述第二底部單元塊的底部單元位線在垂直延伸的方向上相互偏移。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，可以同時訪問所述第一底部單元塊和所述第一頂部單元塊的所述存儲單元，并且其中，可以同時訪問所述第二底部單元塊和所述第二頂部單元塊的所述存儲單元。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，訪問單元塊的至少一個單元包括將耦合至所述至少一個單元的字線的電壓提高到第一閾值以上，并且將耦合至所述至少一個單元的位線的電壓降低到第二閾值以下。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述第一閾值處于大約5到20V之間，并且其中，所述第二閾值處于大約-20到-5V之間。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，每個未偏置字線具有大約2V的電壓，并且其中，每個未偏置位線具有大約2V的電壓。

6.根據權利要求3所述的方法，其中：

訪問存儲塊的至少一個單元包括使耦合至所述存儲塊的每個未偏置字線的電壓保持在第一未偏置電壓值，并且使耦合至所述存儲塊的每個未偏置位線的電壓保持在第二未偏置電壓值。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述第一未偏置電壓值為大約2V，并且其中，所述第二未偏置電壓值為大約2V。

8.根據權利要求6所述的方法，其中，每個未偏置字線具有大約0V的電壓，并且其中，每個未偏置位線具有大約0V的電壓。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，訪問存儲單元包括從所述存儲單元讀取數據或者將數據編程至所述存儲單元中的至少一者。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述三維存儲器包括多個頁，其中，每一頁包括多個存儲塊，并且其中，訪問所述三維存儲器的給定頁的存儲單元包括一次訪問每個存儲塊的兩個存儲單元。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，每一頁包括128個存儲塊，并且其中，訪問給定頁的存儲單元是以每次256個存儲單元的速率執行的。

12.一種訪問三維存儲器的存儲單元的方法，包括：

通過對多條字線中的一條字線以及多條底部單元位線中的一條位線進行偏置來對底部單元陣列的底部單元塊的存儲單元進行一次一個單元的訪問；以及

通過對所述多條字線中的一條字線以及多條頂部單元位線中的一條位線進行偏置來對頂部單元陣列的從所述底部單元塊偏移的并且在深度方向上位于所述底部單元陣列以上的頂部單元塊的存儲單元進行每次一個單元的訪問，

其中，所述多條字線包括另一條字線，所述另一條字線與所述一條字線處于同一層且在水平延伸的方向上相互偏移，并且其中，所述多條底部單元位線中的所述一條位線與所述多條頂部單元位線的所述一條位線在垂直延伸的方向上相互偏移，并且，

其中，通過對所述多條字線中的連接至所述底部單元塊的第一存儲單元和所述頂部單元塊的位于所述第一存儲單元以上的第二存儲單元兩者的字線進行偏置，來同時訪問所述第一存儲單元以及所述第二存儲單元。