[實用新型]一種芯片過流保護電路

有效

• 申請號: 202023343562.6
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN213959743U
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 姚維;代云啟;房后林
• 申請（專利權）人: 科大國盾量子技術股份有限公司
• 主分類號: H02H7/20
• 分類號: H02H7/20;H02H9/02;H02H3/08
• 代理公司: 合肥市浩智運專利代理事務所(普通合伙) 34124
• 代理人: 鄭浩

1.一種芯片過流保護電路，其特征在于，應用于目標芯片(7)，包括：功率MOS管(1)、電流檢測單元(2)、限流閾值自適應反饋單元(3)、遲滯比較單元(4)以及直流供電電源(5)；功率MOS管(1)的漏極接直流供電電源(5)，功率MOS管(1)的源極接電流檢測單元(2)的輸入端，功率MOS管(1)的柵極連接到限流閾值自適應反饋單元(3)的輸出端；限流閾值自適應反饋單元(3)的一個輸入端連接在功率MOS管(1)的源極，限流閾值自適應反饋單元(3)的另一個輸入端與電流檢測單元(2)的一個輸出端連接，電流檢測單元(2)的另一個輸出端與目標芯片(7)連接。

2.根據權利要求1所述的一種芯片過流保護電路，其特征在于，還包括控制器(6)，遲滯比較單元(4)的輸出端與控制器(6)的輸入端連接。

3.根據權利要求2所述的一種芯片過流保護電路，其特征在于，所述的控制器(6)的輸出端與直流供電電源(5)的輸出使能腳連接，控制器接收到來自遲滯比較單元(4)的過流指示信號，通過控制器(6)執行直流供電電源(5)斷電。

4.根據權利要求1所述的一種芯片過流保護電路，其特征在于，所述的電流檢測單元(2)包括SHUNT電阻R1以及比較器芯片A1，SHUNT電阻R1的一端作為電流檢測單元(2)的輸入端連接在功率MOS管(1)的源極，SHUNT電阻R1的另一端與目標芯片(7)連接，比較器芯片A1的兩個輸入端分別接在SHUNT電阻R1的兩端，比較器芯片A1的輸出端連接在限流閾值自適應反饋單元(3)的輸入端。

5.根據權利要求4所述的一種芯片過流保護電路，其特征在于，所述的限流閾值自適應反饋單元(3)包括電阻分壓網絡(31)以及運算放大器A2，電阻分壓網絡(31)的輸入端作為限流閾值自適應反饋單元(3)的第一輸入端，連接功率MOS管(1)的源極，運算放大器A2的反相輸入端作為限流閾值自適應反饋單元(3)的第二輸入端，連接比較器芯片A1的輸出端，運算放大器A2的正相輸入端與電阻分壓網絡(31)的輸出端連接，電阻分壓網絡(31)輸出限流閾值電壓Vth至運算放大器A2的正相輸入端。

6.根據權利要求5所述的一種芯片過流保護電路，其特征在于，所述的電阻分壓網絡(31)包括電阻R2、電阻R3、電阻R4；電阻R2、電阻R3、電阻R4構成“Y”型結構。

7.根據權利要求6所述的一種芯片過流保護電路，其特征在于，所述的電阻R2與電阻R4串聯后，電阻R2的非串聯端連接在功率MOS管(1)的源極與SHUNT電阻R1之間，電阻R4的非串聯端連接在運算放大器A2的正相輸入端；電阻R3的一端連接在電阻R2與電阻R4串聯公共點，另一端接VDD電源。

8.根據權利要求5所述的一種芯片過流保護電路，其特征在于，所述的遲滯比較單元(4)包括電阻R5、電阻R6以及運算放大器A3；運算放大器A3的反相輸入端連接在運算放大器A2的輸出端，運算放大器A3的正相輸入端連接電阻R5的一端，電阻R5的另一端作為參考電壓輸入端；電阻R6的一端連接在運算放大器A3的正相輸入端，另一端連接在運算放大器A3的輸出端。

9.根據權利要求1所述的一種芯片過流保護電路，其特征在于，所述的目標芯片(7)是功放芯片。

10.根據權利要求1所述的一種芯片過流保護電路，其特征在于，所述的目標芯片(7)是控制器芯片或者光電器件芯片。