[實(shí)用新型]高阻斷電壓的氮化鎵PN二極管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202023320856.7
• 申請(qǐng)日: 2020-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN213660418U
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙成;韓亞;孫越;王思元;王毅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/861
• 分類號(hào): H01L29/861;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/417
• 代理公司: 揚(yáng)州市蘇為知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32283
• 代理人: 郭翔

1.高阻斷電壓的氮化鎵PN二極管，其特征在于，包括基板、過渡層、漂移層、有源區(qū)、漂移通道、場板和金屬電極層；

所述基板、過渡層和漂移層自下而上依次相接設(shè)置；

所述有源區(qū)包括自下而上依次相接的有源區(qū)第二半導(dǎo)體層、有源區(qū)第一半導(dǎo)體層和有源區(qū)歐姆接觸層；

所述漂移通道包括自下而上相接的通道漂移層和漂移通道歐姆接觸層以及位于通道漂移層和漂移通道歐姆接觸層內(nèi)外兩側(cè)的漂移通道內(nèi)隔離層與漂移通道外隔離層；

所述有源區(qū)和漂移通道分別與漂移層的上端相接，所述漂移通道設(shè)有兩個(gè)，位于有源區(qū)的兩側(cè)；所述漂移通道通過漂移通道內(nèi)隔離層與有源區(qū)相隔離；

所述場板設(shè)有兩個(gè)，分別內(nèi)嵌于相應(yīng)的漂移通道內(nèi)隔離層中；

所述金屬電極層包括陽極電極、陰極電極和場板電極；

所述陽極電極位于有源區(qū)的頂部并與有源區(qū)歐姆接觸層相接；

所述陰極電極位于漂移通道的頂部并與漂移通道歐姆接觸層相接；

所述場板電極位于漂移通道內(nèi)隔離層和場板的頂部并與場板相接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高阻斷電壓的氮化鎵PN二極管，其特征在于，所述基板為Si基板、SiC基板或藍(lán)寶石基板。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高阻斷電壓的氮化鎵PN二極管，其特征在于，所述過渡層包括AlN外延層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高阻斷電壓的氮化鎵PN二極管，其特征在于，所述過渡層還包括自下而上相接于AlN外延層上的AlGaN外延層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高阻斷電壓的氮化鎵PN二極管，其特征在于，所述有源區(qū)第一半導(dǎo)體層為P-GaN外延層或N-GaN外延層；

所述有源區(qū)第二半導(dǎo)體層、漂移層、通道漂移層分別為N^―-GaN外延層或P^―-GaN外延層；

所述有源區(qū)歐姆接觸層為P⁺-GaN外延層或N⁺-GaN外延層；

所述漂移通道歐姆接觸層為N⁺-GaN外延層或P⁺-GaN外延層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高阻斷電壓的氮化鎵PN二極管，其特征在于，所述漂移通道內(nèi)隔離層和漂移通道外隔離層為二氧化硅層或氮化硅層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高阻斷電壓的氮化鎵PN二極管，其特征在于，所述場板為Ti/Au雙金屬層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高阻斷電壓的氮化鎵PN二極管，其特征在于，所述陽極電極、陰極電極和場板電極分別為Ti/Al/Ti/Au多金屬層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高阻斷電壓的氮化鎵PN二極管，其特征在于，所述陽極電極、陰極電極和場板電極分別為Cr/Al/Ti/Au多金屬層。