[實用新型]等離子蝕刻設備

有效

• 申請號: 202023151208.3
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN213781984U
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 申度旭
• 申請（專利權）人: 樂金顯示光電科技（中國）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本實用新型涉及一種等離子蝕刻設備，包括供氣裝置和等離子發生裝置，供氣裝置包括氣體混合室和至少兩個輸氣支管道，至少兩個輸氣支管道與氣體混合室連通，氣體混合室通過輸氣總管道與等離子發生裝置連通，輸氣支管道上設置有氣體流量控制器和第一過濾器，第一過濾器用于對對應的輸氣支管道內的氣體進行過濾處理，輸氣總管道上設置有第二過濾器，第二過濾器對輸氣總管道內的氣體進行過濾處理。通過設置第一過濾器，利用第一過濾器對混合前的氣體以及混合后的氣體進行過濾處理，能夠避免氣體將氣體流量控制器內因機械摩擦形成的固體異物帶入氣體混合室，進而保證供氣裝置向等離子發生裝置輸送的氣體清潔度，具有提高蝕刻質量的特點。

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種等離子蝕刻設備。

背景技術

在半導體顯示制造過程中，蝕刻工藝被廣泛應用。用于蝕刻的等離子蝕刻設備主要包括供氣系統和等離子發生器，供氣系統向等離子發生器供應氣體，并通過等離子發生器將氣體等離子化后形成蝕刻氣體，蝕刻氣體噴射至基板上以使基板表面形成所需的膜層結構。由于供氣的管道上設置有用于調節氣流的氣體流量控制器(MFC)，氣體流量控制器的調節閥門在工作時，其自身的機械結構之間會出現相互摩擦，進而使機械結構之間摩擦產生的鐵屑等異物隨氣體進入等離子發生器，甚至異物沉積在基板上，對基板的質量造成極大的危害。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提出一種等離子蝕刻設備，其可保證氣體的清潔度和提高蝕刻質量。

為達此目的，本實用新型采用以下技術方案：

提供的一種等離子蝕刻設備，包括供氣裝置和等離子發生裝置，所述供氣裝置包括氣體混合室和至少兩個輸氣支管道，至少兩個所述輸氣支管道與所述氣體混合室連通，所述氣體混合室通過輸氣總管道與所述等離子發生裝置連通，所述輸氣支管道上設置有氣體流量控制器和第一過濾器，所述第一過濾器用于對對應的所述輸氣支管道內的氣體進行過濾處理，所述輸氣總管道上設置有第二過濾器，所述第二過濾器對所述輸氣總管道內的氣體進行過濾處理。

作為等離子蝕刻設備的一種優選方案，所述輸氣支管道的數量為兩個，其中一個所述輸氣支管道為第一輸氣支管道，所述第一輸氣支管道用于輸送氮氣，其中另一個所述輸氣支管道為第二輸氣支管道，所述第二輸氣支管道用于輸送干燥空氣。

作為等離子蝕刻設備的一種優選方案，所述氣體流量控制器設置于所述第一過濾器與所述氣體混合室之間。

作為等離子蝕刻設備的一種優選方案，所述氣體流量控制器包括閥門，所述閥門采用不銹鋼材料制成。

作為等離子蝕刻設備的一種優選方案，所述供氣裝置還包括用于儲存所述氮氣的第一儲氣罐和用于儲存所述干燥空氣的第二儲氣罐，所述第一儲氣罐與所述第一輸氣支管道連接，所述第二儲氣罐與所述第二輸氣支管道連接。

作為等離子蝕刻設備的一種優選方案，所述第二儲氣罐或者所述第二輸氣支管道上設置有濕度計。

作為等離子蝕刻設備的一種優選方案，所述第一輸氣支管道和所述第二輸氣支管道上均設置有壓力表。

作為等離子蝕刻設備的一種優選方案，所述氣體混合室相對的兩端分別設置有氣體出口和氣體入口，所述氣體出口與所述輸氣總管道連接，所述氣體入口與所述輸氣支管道連接，所述氣體出口與所述氣體入口錯位分布。

作為等離子蝕刻設備的一種優選方案，所述輸氣支管道上設置有至少兩個所述第一過濾器，至少兩個所述第一過濾器依次串聯連接。

作為等離子蝕刻設備的一種優選方案，所述輸氣支管道上設置有兩個所述第一過濾器，靠近所述氣體流量控制器的所述第一過濾器的過濾孔小于遠離所述氣體流量控制器的所述第一過濾器的過濾孔。

本實用新型相比于現有技術的有益效果：