[實(shí)用新型]芯片和電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202023088901.0
• 申請(qǐng)日: 2020-12-18
• 公開（公告）號(hào): CN214409043U
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 豆全亮;鐘成;余建偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G01P15/02
• 分類號(hào): G01P15/02;G01P21/00
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 張政

本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種芯片和電子設(shè)備，該芯片包括：主功能模塊、溫度檢測(cè)模塊、溫度調(diào)節(jié)模塊和溫度控制電路，該溫度檢測(cè)模塊靠近該主功能模塊設(shè)置，該溫度檢測(cè)模塊用于測(cè)量主功能模塊的溫度，該溫度控制電路與該溫度檢測(cè)模塊電連接，該溫度調(diào)節(jié)模塊與該溫度控制電路電連接，該溫度控制電路用于根據(jù)該溫度檢測(cè)模塊測(cè)得的溫度向該溫度調(diào)節(jié)模塊施加電壓，該溫度調(diào)節(jié)模塊用于根據(jù)該溫度調(diào)節(jié)模塊施加的電壓調(diào)節(jié)該芯片的溫度。由此，通過設(shè)置溫度檢測(cè)模塊、溫度調(diào)節(jié)模塊和溫度控制電路，可以調(diào)整該主功能模塊的溫度，實(shí)現(xiàn)主功能模塊在系統(tǒng)溫度發(fā)生變化時(shí)，主功能模塊的溫度基本恒定，降低了主功能模塊的溫度漂移參數(shù)。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)實(shí)施例涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片和電子設(shè)備。

背景技術(shù)

加速度傳感器(acceleration transducer)是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。傳感器在加速過程中，通過對(duì)質(zhì)量塊所受慣性力的測(cè)量，利用牛頓第二定律獲得加速度值。根據(jù)傳感器敏感元件的不同，常見的加速度傳感器包括電容式、電感式、應(yīng)變式、壓阻式、壓電式等。

目前，在工業(yè)和信息與通信技術(shù)(information and communicationstechnology，ICT)領(lǐng)域，對(duì)加速度傳感器的溫度漂移(Temperature dirft)參數(shù)要求較高，一般要求溫度漂移參數(shù)在全溫范圍內(nèi)優(yōu)于0.1mg/℃，其中，0.1mg/℃是指溫度每變化一攝氏度，半導(dǎo)體器件參數(shù)變化0.1mg，然而現(xiàn)有的加速度傳感器芯片只能達(dá)到0.25mg/℃。

實(shí)用新型內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種芯片和電子設(shè)備，解決了加速度傳感器受溫度影響較大的問題。

為達(dá)到上述目的，本申請(qǐng)實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

本申請(qǐng)實(shí)施例的第一方面，提供一種芯片，包括：主功能模塊、溫度檢測(cè)模塊、溫度調(diào)節(jié)模塊和溫度控制電路，該溫度檢測(cè)模塊用于測(cè)量主功能模塊的溫度，該溫度控制電路與該溫度檢測(cè)模塊電連接，該溫度調(diào)節(jié)模塊與該溫度控制電路電連接，該溫度控制電路用于根據(jù)該溫度檢測(cè)模塊測(cè)得的溫度向該溫度調(diào)節(jié)模塊施加電壓，所述溫度控制電路用于根據(jù)所述主功能模塊的溫度，控制所述溫度調(diào)節(jié)模塊對(duì)所述主功能模塊加熱或降溫。由此，通過設(shè)置溫度檢測(cè)模塊、溫度調(diào)節(jié)模塊和溫度控制電路，可以調(diào)整該主功能模塊的溫度，實(shí)現(xiàn)主功能模塊在系統(tǒng)溫度發(fā)生變化時(shí)，主功能模塊的溫度基本恒定，降低了主功能模塊的溫度漂移參數(shù)。

一種可選的實(shí)現(xiàn)方式中，所述芯片包括至少三層基底，其中，該溫度調(diào)節(jié)模塊設(shè)置在第一基底上，該溫度檢測(cè)模塊設(shè)置在第二基底上，溫度控制電路設(shè)置在第三基底上，該第一基底、該第二基底和該第三基底鍵合。由此，結(jié)構(gòu)更簡單。

一種可選的實(shí)現(xiàn)方式中，所述芯片包括至少二層基底，其中，該溫度調(diào)節(jié)模塊和該溫度控制電路設(shè)置在第一基底上，該溫度調(diào)節(jié)模塊設(shè)置在第二基底上，該第一基底和該第二基底鍵合。由此，該溫度調(diào)節(jié)模塊和該溫度控制電路設(shè)置在同一基底上，更節(jié)省空間。

一種可選的實(shí)現(xiàn)方式中，該溫度調(diào)節(jié)模塊和該溫度控制電路之間設(shè)有絕緣層。由此，避免該溫度調(diào)節(jié)模塊和該溫度控制電路相互干擾。

一種可選的實(shí)現(xiàn)方式中，該芯片還包括：主控制電路，該主功能模塊和該溫度檢測(cè)模塊設(shè)置在同一基底上，該主控制電路和該溫度控制電路設(shè)置在同一基底上。由此，該主功能模塊和該溫度檢測(cè)模塊設(shè)置在同一基底上，該主控制電路和該溫度控制電路設(shè)置在同一基底上，更節(jié)省芯片內(nèi)部空間。

一種可選的實(shí)現(xiàn)方式中，該主功能模塊包括：微機(jī)電系統(tǒng)MEMS加速度傳感器。

一種可選的實(shí)現(xiàn)方式中，該溫度調(diào)節(jié)模塊為半導(dǎo)體制冷器。

一種可選的實(shí)現(xiàn)方式中，該溫度檢測(cè)模塊為：溫度傳感器。