[實(shí)用新型]一種用于解決硅片表面清洗過(guò)程劃傷和沾污的底座裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202023072823.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN213816083U | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-07-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張帥;梁興勃;盧飛紅;荊濤;劉亮榮;陸宇凡;盧鋒;劉建剛 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 浙江金瑞泓科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海泰能知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31233 | 代理人: | 王亮;孫健 |
| 地址: | 315800 浙江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 解決 硅片 表面 清洗 過(guò)程 劃傷 沾污 底座 裝置 | ||
本實(shí)用新型涉及一種用于解決硅片表面清洗過(guò)程劃傷和沾污的底座裝置,包括底座,所述的底座呈長(zhǎng)板狀結(jié)構(gòu),該底座的上端面上沿著長(zhǎng)度方向均勻開(kāi)設(shè)有多個(gè)凹槽,所述的凹槽的兩側(cè)分別貫穿底座兩側(cè)的側(cè)壁,該凹槽的底面為斜面,所述的斜面上均勻布置有若干個(gè)孔洞,所述的孔洞呈豎直布置且下端貫穿底座的底面。本實(shí)用新型通過(guò)多個(gè)凹槽將片架一一分隔開(kāi)來(lái),硅片由于凹槽的斜面傾斜,硅片會(huì)通過(guò)自身重力作用斜靠到片架上,這樣可以有效避免硅片在清洗過(guò)程中由于相互吸附和碰撞,導(dǎo)致清洗后硅片表面出現(xiàn)劃傷和沾污,有利于提高硅片表面清洗質(zhì)量。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及硅片清洗技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種用于解決硅片表面清洗過(guò)程劃傷和沾污的底座裝置。
背景技術(shù)
硅片清洗是IC制造過(guò)程中非常重要的環(huán)節(jié),半導(dǎo)體加工過(guò)程中大部分工藝流程都涉及到清洗。硅片表面清潔是實(shí)現(xiàn)高性能處理的第一步,如果硅片表面不清潔或者有損傷,后續(xù)工藝無(wú)法正常進(jìn)行。因此對(duì)硅片表面質(zhì)量的要求將日趨嚴(yán)格,因?yàn)檫@是實(shí)現(xiàn)大規(guī)模集成電路立體化結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵。
清洗過(guò)程通常包括干法清洗和濕法清洗,其中濕法清洗又分為槽式清洗和單片清洗。槽式清洗是一整盒硅片裝在一個(gè)片架中,然后平放投入裝滿清洗液中進(jìn)行清洗,槽體中液體是處于流動(dòng)狀態(tài)的,這樣有利于帶走硅片表面的顆粒等其他物質(zhì)。但是由于片架卡槽之間的距離有限,硅片在藥液中很容易吸附在一起,流動(dòng)的液體會(huì)帶動(dòng)硅片發(fā)生移動(dòng),這時(shí)吸附在一起的硅片很容易出現(xiàn)相互摩擦,導(dǎo)致清洗后硅片表面出現(xiàn)劃傷和沾污。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種用于解決硅片表面清洗過(guò)程劃傷和沾污的底座裝置,通過(guò)多個(gè)凹槽將片架一一分隔開(kāi)來(lái),硅片由于凹槽的斜面傾斜,硅片會(huì)通過(guò)自身重力作用斜靠到片架上,這樣可以有效避免硅片在清洗過(guò)程中由于相互吸附和碰撞,導(dǎo)致清洗后硅片表面出現(xiàn)劃傷和沾污,有利于提高硅片表面清洗質(zhì)量。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:提供一種用于解決硅片表面清洗過(guò)程劃傷和沾污的底座裝置,包括底座,所述的底座呈長(zhǎng)板狀結(jié)構(gòu),該底座的上端面上沿著長(zhǎng)度方向均勻開(kāi)設(shè)有多個(gè)凹槽,所述的凹槽的兩側(cè)分別貫穿底座兩側(cè)的側(cè)壁,該凹槽的底面為斜面,所述的斜面上均勻布置有若干個(gè)孔洞,所述的孔洞呈豎直布置且下端貫穿底座的底面。
作為對(duì)本實(shí)用新型所述的技術(shù)方案的一種補(bǔ)充,所述的底座采用PVDF材質(zhì)制成。
作為對(duì)本實(shí)用新型所述的技術(shù)方案的一種補(bǔ)充,所述的底座的底面為水平面,所述的斜面與水平面之間的夾角為5度。
作為對(duì)本實(shí)用新型所述的技術(shù)方案的一種補(bǔ)充,每個(gè)斜面上的孔洞均呈矩形陣列排布。
有益效果:本實(shí)用新型涉及一種用于解決硅片表面清洗過(guò)程劃傷和沾污的底座裝置,整個(gè)底座裝置放置于槽式清洗機(jī)槽底,硅片裝于PFA片架中,然后將片架放置于底座的凹槽,通過(guò)多個(gè)凹槽將片架一一分隔開(kāi)來(lái),硅片由于凹槽的斜面傾斜,硅片會(huì)通過(guò)自身重力作用斜靠到片架上,這樣可以有效避免硅片在清洗過(guò)程中由于相互吸附和碰撞,導(dǎo)致清洗后硅片表面出現(xiàn)劃傷和沾污,有利于提高硅片表面清洗質(zhì)量。
附圖說(shuō)明
圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本實(shí)用新型不同規(guī)格的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖示:1、底座,2、凹槽,3、孔洞,4、斜面。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例,進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。應(yīng)理解,這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍。此外應(yīng)理解,在閱讀了本實(shí)用新型講授的內(nèi)容之后,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型作各種改動(dòng)或修改,這些等價(jià)形式同樣落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求書(shū)所限定的范圍。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于浙江金瑞泓科技股份有限公司,未經(jīng)浙江金瑞泓科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202023072823.5/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





