[實用新型]前照式影像傳感器

有效

• 申請號: 201320090371.4
• 申請日: 2013-02-27
• 公開（公告）號: CN203134798U
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 李全寶;肖海波;費孝愛
• 申請（專利權）人: 豪威科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本實用新型涉及影像傳感器技術領域，特別涉及一種前照式影像傳感器。

背景技術

影像傳感器是在光電技術基礎上發展起來的，所謂影像傳感器，就是能夠感受光學圖像信息并將其轉換成可用輸出信號的傳感器。影像傳感器可以提高人眼的視覺范圍，使人們看到肉眼無法看到的微觀世界和宏觀世界，看到人們暫時無法到達處發生的事情，看到超出肉眼視覺范圍的各種物理、化學變化過程，生命、生理、病變的發生發展過程，等等。可見影像傳感器在人們的文化、體育、生產、生活和科學研究中起到非常重要的作用。可以說，現代人類活動已經無法離開影像傳感器了。

影像傳感器可依據其采用的原理而區分為電荷耦合裝置（Charge-Coupled?Device）影像傳感器（亦即俗稱CCD影像傳感器）以及CMOS（Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor）影像傳感器，其中CMOS影像傳感器即基于互補型金屬氧化物半導體（CMOS）技術而制造。由于CMOS影像傳感器是采用傳統的CMOS電路工藝制作，因此可將影像傳感器以及其所需要的外圍電路加以整合，從而使得CMOS影像傳感器具有更廣的應用前景。

按照接收光線的位置的不同，影像傳感器可以分為前照式影像傳感器及背照式影像傳感器。請參考圖1，其為現有的前照式影像傳感器的結構示意圖。如圖1所示，所述前照式影像傳感器1包括：半導體基底10；形成于所述半導體基底10中的光電二極管11；形成于所述半導體基底10上的金屬連線12；及形成于所述半導體基底10上的濾光片13，且所述濾光片13與金屬連線12相鄰。在現有的前照式影像傳感器1中，容易發生影像傳感器的串擾（crosstalk）問題。具體的，如圖1所示，光線L1在入射到一濾光片13（進而進入該濾光片13正對的光電二極管）之后，極易通過金屬連線12的反射進入到另一濾光片13（進而進入該濾光片13正對的光電二極管）中，從而造成影像傳感器的串擾問題，進而降低前照式影像傳感器的質量及可靠性。

因此，如何避免/減少影像傳感器的串擾問題，成了本領域技術人員亟待解決的一個技術問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種前照式影像傳感器，以解決在現有的前照式影像傳感器中，存在影像傳感器的串擾的問題。

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種前照式影像傳感器，所述前照式影像傳感器包括：

半導體基底；

多個光電二極管，所述多個光電二極管形成于所述半導體基底中；

遮蔽側墻，所述遮蔽側墻形成于所述半導體基底上，且位于光電二極管的兩側。

可選的，在所述的前照式影像傳感器中，所述遮蔽側墻為金屬制成的遮蔽側墻。

可選的，在所述的前照式影像傳感器中，所述遮蔽側墻為鋁或者銅制成的遮蔽側墻。

可選的，在所述的前照式影像傳感器中，所述遮蔽側墻的截面寬度為0.2微米～0.3微米。

可選的，在所述的前照式影像傳感器中，還包括：

透光填充層，所述透光填充層形成于所述半導體基底上，且正對光電二極管。

可選的，在所述的前照式影像傳感器中，還包括：

濾光片，所述濾光片位于所述透光填充層上，且正對光電二極管。

可選的，在所述的前照式影像傳感器中，所述透光填充層為聚酰亞胺透光填充層或者SU8透光填充層。

可選的，在所述的前照式影像傳感器中，所述透光填充層的厚度為1微米～2微米。

可選的，在所述的前照式影像傳感器中，多個光電二極管分成多組，每組包括綠光光電二極管、藍光光電二極管及紅光光電二極管。

在本實用新型提供的前照式影像傳感器中，所述半導體基底上形成有遮蔽側墻，所述遮蔽側墻位于光電二極管的兩側，由此，通過所述遮蔽側墻能夠將入射光線限定在一光電二極管范圍內，防止了影像傳感器的串擾問題，進而提高了前照式影像傳感器的質量及可靠性。

附圖說明

圖1是現有的前照式影像傳感器的結構示意圖；

圖2是本實用新型實施例一提供的前照式影像傳感器的結構示意圖；

圖3是本實用新型實施例二提供的前照式影像傳感器的結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本實用新型提出的前照式影像傳感器作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本實用新型的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。

【實施例一】