[實用新型]研磨墊及具有其的研磨裝置

有效

• 申請號: 202022943908.X
• 申請日: 2020-12-10
• 公開（公告）號: CN213946060U
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 吳宇
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: B24B37/26
• 分類號: B24B37/26
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 王曉玲

本實用新型提供了一種研磨墊及具有其的研磨裝置。該研磨墊具有相對的非工作面和工作面，工作面具有旋轉中心且工作時沿旋轉中心周向旋轉，工作面具有至少一個第一區域，在由旋轉中心指向工作面的邊緣的方向上，第一區域的第一長度由L₁遞增至L₂并由L₂遞減至L₃，第一長度為第一區域沿旋轉方向的長度，工作面中除第一區域之外的區域為第二區域，位于第一區域中的工作面與非工作面之間的最大垂直距離為H₁，位于第二區域中的工作面與非工作面之間的最大垂直距離為H₂，H₁＜H₂。上述研磨墊能夠沿晶圓的邊緣向中心區域的方向逐漸降低研磨量，避免了研磨后的晶圓背面沿靠近中部的方向逐漸凹陷，進而提高了減薄后晶圓背面的平坦化程度。

技術領域

本實用新型涉及研磨技術領域，具體而言，涉及一種研磨墊及具有其的研磨裝置。

背景技術

在目前的NAND存儲器的制作工藝中，在進行完晶圓鍵合的步驟之后，需要對表面形成有存儲器陣列的晶圓背面進行減薄工藝。為了減少成本，目前的采用的通常是具有低空洞型原生為缺陷(Low COP)的晶圓。由于采用的上述晶圓種類中并不存在刻蝕停止層，從而導致傳統的減薄工藝并不適用，對研磨工藝提出了更高的要求，現有技術中通常采用機械研磨(Grinding)與化學機械研磨(CMP)相結合進行背面減薄。

上述背面減薄工藝通常包括三個研磨步驟(Z1、Z2以及Z3)，在Z1和Z2步驟中通過機械研磨(Grinding)去除大部分的厚度，然后通過化學機械研磨(CMP)對減薄的厚度進行精細控制。對于現有技術中的化學機械研磨(CMP)工藝而言，由于其并沒有按研磨區域調整研磨墊的壓力，從而易導致晶圓背面沿靠近中部的方向逐漸凹陷，使晶圓的剖面形成“V”形。

實用新型內容

本實用新型的主要目的在于提供一種研磨墊及具有其的研磨裝置，以解決現有技術中晶圓的背面減薄工藝易導致晶圓背面沿靠近中部的方向逐漸凹陷的問題。

為了實現上述目的，根據本實用新型的一個方面，提供了一種研磨墊，該研磨墊具有相對的非工作面和工作面，工作面具有旋轉中心且工作時沿旋轉中心周向旋轉，工作面具有至少一個第一區域，在由旋轉中心指向工作面的邊緣的方向上，第一區域的第一長度由L₁遞增至L₂并由L₂遞減至L₃，第一長度為第一區域沿旋轉方向的長度，工作面中除第一區域之外的區域為第二區域，位于第一區域中的工作面與非工作面之間的最大垂直距離為H₁，位于第二區域中的工作面與非工作面之間的最大垂直距離為H₂，H₁＜H₂。

進一步地，第一區域的幾何重心距旋轉中心的距離小于幾何重心距工作面邊緣的最小距離。

進一步地，第一區域沿旋轉方向的最大長度為a，第一區域沿與旋轉方向垂直的方向的最大長度為b，b＞a。

進一步地，第一區域由旋轉中心趨向工作面的邊緣延伸且未與工作面的邊緣接觸；或第一區域由工作面的邊緣趨向旋轉中心延伸且未與旋轉中心接觸；或第一區域由旋轉中心延伸至工作面的邊緣。

進一步地，工作面包括平整的基面和凸出在基面上的多個凸起面，凸起面均位于第二區域中；或工作面包括平整的基面和凸出在基面上的多個凸起面，第一區域和第二區域中均形成有凸起部，凸起面為各凸起部遠離非工作面一側的表面，且第一區域中的凸起部的高度小于第二區域中的凸起部的高度。

進一步地，第一區域為多個，各第一區域沿旋轉方向均勻分布。

進一步地，第一區域為偶數個，且兩兩第一區域呈中心對稱。

進一步地，第一區域為三角形；或第一區域為梯形；或第一區域為由直線段和曲線段圍成的圖形；或第一區域為由第一曲線段和第二曲線段圍成的圖形。