[實用新型]一種半導體封裝結構

有效

• 申請號: 202022772790.9
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN213212151U
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 趙健康;史波;曾丹
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉紅彬

1.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括導線框架、芯片、金屬橋、絕緣導熱裝置、散熱片、基島組以及塑封外殼；

所述芯片位于所述導線框架一側，所述金屬橋第一端位于所述芯片背離所述導線框架的一側，所述絕緣導熱裝置位于所述金屬橋第一端背離所述芯片的一側，所述散熱片位于所述絕緣導熱裝置背離所述金屬橋第一端的一側，所述基島組包括第一基島，所述第一基島與所述金屬橋第二端電連接，所述塑封外殼包覆于所述導線框架、芯片、金屬橋、絕緣導熱裝置、散熱片以及所述基島組外側，且所述導線框架背離所述芯片的表面和所述散熱片背離所述芯片的表面裸露于所述塑封外殼外側。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述芯片與所述金屬橋第一端通過第一結合材連接。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述金屬橋第一端朝向所述芯片的表面形成有與所述芯片相配合的一圈第一突角，所述芯片在所述第一突角圍成的區域內與所述金屬橋第一端連接。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述金屬橋第一端朝向所述絕緣導熱裝置的表面形成有與所述絕緣導熱裝置相配合的一圈第二突角，所述絕緣導熱裝置在所述第二突角圍成的區域內與所述金屬橋第一端連接。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述芯片朝向所述金屬橋第一端的一側具有第一電極和第二電極，所述芯片朝向所述導線框架的一側具有第三電極，所述第一電極與所述金屬橋第一端朝向芯片的一側電連接。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述基島組還包括第二基島和第三基島，所述第二電極與所述第二基島電連接，所述第三電極與所述導線框架朝向所述芯片的一側電連接，所述導線框架與所述第三基島電連接。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述第一基島、第二基島和第三基島上分別具有第一引腳、第二引腳和第三引腳，所述第一引腳、第二引腳和第三引腳均裸露于所述塑封外殼的外側。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述金屬橋為銅橋。

9.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述絕緣導熱裝置的材料為陶瓷材料。

10.根據權利要求1所述的半導體封裝結構，其特征在于，所述散熱片的材料為散熱金屬材料或者石墨烯材料。