[實用新型]一種轉換效率高的異質結太陽能單面電池有效
| 申請號: | 202022594579.2 | 申請日: | 2020-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN213988896U | 公開(公告)日: | 2021-08-17 |
| 發明(設計)人: | 楊與勝;謝藝峰;張超華 | 申請(專利權)人: | 福建金石能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20 |
| 代理公司: | 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人: | 張磊 |
| 地址: | 362200 福建省泉州市*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 轉換 效率 異質結 太陽能 單面 電池 | ||
1.一種轉換效率高的異質結太陽能單面電池,其特征在于:它包括硅片(1)、第一本征非晶硅薄膜層(2)、第一摻雜非晶硅薄膜層(4)、第二本征非晶硅薄膜層(3)、第二摻雜非晶硅薄膜層(5)、第一透明導電薄膜層(6)、第二透明導電薄膜層(7)、阻擋層(8)、金屬層(9)、金屬保護層(10)、第一銀漿電極柵線(11)以及第二銀漿電極柵線(12);
所述硅片的正背面經制絨后形成金字塔絨面;所述第一本征非晶硅薄膜層(2)、第一摻雜非晶硅薄膜層(4)以及第一透明導電薄膜層(6)由里及表依次設于硅片的正面,所述第二本征非晶硅薄膜層(3)、第二摻雜非晶硅薄膜層(5)、第二透明導電薄膜層(7)、阻擋層(8)、金屬層(9)以及金屬保護層(10)由里及表依次設于硅片的背面;
所述第一銀漿電極柵線(11)印刷于第一透明導電薄膜層(6)上,所述第二銀漿電極柵線(12)印刷于金屬保護層(10)上。
2.根據權利要求1所述的轉換效率高的異質結太陽能單面電池,其特征在于:所述第一摻雜非晶硅薄膜層(4)為n-型非晶硅薄膜層,所述第二摻雜非晶硅薄膜層(5)為p-型非晶硅薄膜層。
3.根據權利要求1所述的轉換效率高的異質結太陽能單面電池,其特征在于:所述第一摻雜非晶硅薄膜層(4)為p-型非晶硅薄膜層,所述第二摻雜非晶硅薄膜層(5)為n-型非晶硅薄膜層。
4.根據權利要求1所述的轉換效率高的異質結太陽能單面電池,其特征在于:所述第一本征非晶硅薄膜層(2)、第一摻雜非晶硅薄膜層(4)、第二本征非晶硅薄膜層(3)和第二摻雜非晶硅薄膜層(5)的厚度均為3~10nm。
5.根據權利要求1所述的轉換效率高的異質結太陽能單面電池,其特征在于:所述第一透明導電薄膜層(6)為氧化銦層,其厚度為30~200nm。
6.根據權利要求1所述的轉換效率高的異質結太陽能單面電池,其特征在于:所述第二透明導電薄膜層(7)包括氧化銦層以及氧化鋅層,所述氧化銦層的厚度為10~50nm,所述氧化鋅層的厚度為30~200nm。
7.根據權利要求1所述的轉換效率高的異質結太陽能單面電池,其特征在于:所述阻擋層(8)為TiN、Ti-W、Ni-W合金中的一種,其厚度為5~30nm。
8.根據權利要求1所述的轉換效率高的異質結太陽能單面電池,其特征在于:所述金屬層(9)的厚度為100~300nm,方阻小于0.3Ω/□。
9.根據權利要求1所述的轉換效率高的異質結太陽能單面電池,其特征在于:所述金屬保護層(10)的厚度為10~30nm。
10.根據權利要求1所述的轉換效率高的異質結太陽能單面電池,其特征在于:所述第一銀漿電極柵線(11)的柵線包括若干根上下間隔分布且沿橫向延伸的細柵線(111)以及若干根橫向間隔分布且沿縱向延伸的主柵線A(112);所述細柵線(111)與主柵線A(112)橫縱交錯,使第一銀漿電極柵線(11)的柵線呈網格狀;
所述第二銀漿電極柵線(12)的柵線包括若干根橫向間隔分布且沿縱向延伸的主柵線B(121)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





