[實用新型]一種溝槽型功率MOSFET器件有效
| 申請號： | 202022565458.5 | 申請日： | 2020-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN213692012U | 公開（公告）日： | 2021-07-13 |
| 發明（設計）人： | 蔣高喜;肖步文 | 申請（專利權）人： | 無錫鑫澤半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/32 | 分類號： | H01L23/32 |
| 代理公司： | 嘉興啟帆專利代理事務所(普通合伙) 33253 | 代理人： | 金亞丁 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 溝槽 功率 mosfet 器件 | ||
1.一種溝槽型功率MOSFET器件，包括芯片外殼(1)，其特征在于：所述芯片外殼(1)的一端面中部固定連接有三個呈等間距分布的引腳本體(2)，所述芯片外殼(1)的外側壁的一端開設有連接凹槽(3)，所述連接凹槽(3)的上下兩側內壁中部均固定連接有橡膠凸起(4)，所述橡膠凸起(4)的外側面呈圓弧形，所述芯片外殼(1)的一端設置有保護外殼(5)，所述保護外殼(5)的一端面中部開設有連接插槽(6)，所述連接插槽(6)與芯片外殼(1)的一端相適配，所述連接插槽(6)的底端內壁開設有三個呈等間距分布的引腳插孔(7)，所述引腳插孔(7)與引腳本體(2)相適配，所述引腳插孔(7)的一側內壁粘接連接有海綿墊(9)，所述連接插槽(6)的上下兩側內壁均開設有定位槽(8)，所述定位槽(8)與橡膠凸起(4)相適配，所述保護外殼(5)的另一側面中部開設有限位槽(10)，所述限位槽(10)的內腔設置有與限位槽(10)相適配的活動塊(11)。
2.根據權利要求1所述的一種溝槽型功率MOSFET器件，其特征在于：所述活動塊(11)的一側面中部固定連接有活動桿(12)，所述活動桿(12)的一端貫穿限位槽(10)的一側內壁并延伸至保護外殼(5)的另一端外側。
3.根據權利要求2所述的一種溝槽型功率MOSFET器件，其特征在于：所述活動桿(12)的一端貫穿開設有活動孔(13)，所述活動孔(13)的內腔貫穿連接有連接桿(14)。
4.根據權利要求3所述的一種溝槽型功率MOSFET器件，其特征在于：所述活動桿(12)的一端設置有掛環(15)，所述掛環(15)的兩端分別與連接桿(14)的兩端固定連接。
5.根據權利要求4所述的一種溝槽型功率MOSFET器件，其特征在于：所述保護外殼(5)的正面的一端中部開設有收納槽(16)，所述收納槽(16)與掛環(15)相適配。
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