[實用新型]一種晶圓沉積覆蓋環

有效

• 申請號: 202022403622.2
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN214271030U
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 姚力軍;邊逸軍;潘杰;王學澤;邵寅
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/56
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 王巖

本實用新型提供了一種晶圓沉積覆蓋環，所述晶圓沉積覆蓋環呈現閉合環狀，所述晶圓沉積覆蓋環的內周面、上表面和外周面均覆蓋有顆粒層，所述顆粒層外側覆蓋有滾花層。本實用新型所述晶圓沉積覆蓋環通過在顆粒層的基礎上，進一步增加滾花層的設計，有效地增加了晶圓沉積覆蓋環的吸附能力，不僅可以防止濺射下來的靶材原子掉落在晶圓上的問題，進而避免晶圓產生剝皮問題或異常放電現象，防止晶圓報廢，還可以有效防止濺射下來的靶材原子掉落在物理氣相沉積腔體內導致腔體被污染。

技術領域

本實用新型屬于晶圓沉積鍍膜技術領域，具體涉及一種晶圓沉積覆蓋環。

背景技術

物理氣相沉積技術表示在真空條件下，采用物理方法，將作為材料源的固體或液體表面氣化成氣態原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體(或等離子體)過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。

在半導體制造過程中，常常需要采用物理氣相沉積設備在晶圓表面或器件表面沉積薄膜，主要的物理氣相沉積技術有蒸鍍和濺射，前者是借著被蒸鍍物體加熱，利用被蒸鍍物在高溫時所具有的飽和蒸汽壓來進行鍍膜沉積，而后者是利用等離子體產生的離子，借著離子對被濺射物體電極的轟擊，使等離子體的氣相內具有被鍍物的粒子，然后進行沉積。

在采用物理氣相沉積設備對晶圓進行加工的過程中，會將晶圓放置于承載座上，然后對晶圓進行物理氣相沉積作業。然而，由于沉積過程中，沉積材料不只會附著于晶圓上，還可能會附著于承載座上未被晶圓所遮蔽的部分。在長期進行晶圓加工后，沉積物將會于承載座上累積一定的厚度，將會影響到晶圓的放置，使得被承載的晶圓容易發生移動，導致物理氣相沉積鍍膜的均勻性。因此，每隔一段時間必須暫停晶圓加工，清理承載座上的沉積物，造成產能受限。

為了保護承載座，現有技術的承載座上會設置有一沉積覆蓋環，以覆蓋承載座未被晶圓所遮蔽的部分。在物理氣相沉積過程中，沉積覆蓋環不僅可以遮蔽承載座，還可以覆蓋在晶圓上用于吸附上端濺射靶材被打下來的靶材原子，防止濺射時腔體內產生顆粒。現有技術一般通過噴砂或熔射的方式來增加沉積覆蓋環的表面粗糙度，從而增大對上端濺射靶材被打下來的靶材原子的吸附能力。

然而，僅僅通過噴砂或熔射的方式來提高沉積覆蓋環的吸附能力，仍然會出現吸附能力不足而導致濺射下來的靶材原子掉落在晶圓上的問題，進而導致晶圓產生剝皮問題或異常放電現象，甚至導致晶圓報廢，或者掉落在物理氣相沉積腔體內導致腔體被污染。

綜上所述，目前亟需開發一種新型的晶圓沉積覆蓋環，可以進一步提高晶圓沉積覆蓋環的吸附能力，降低由于濺射下來的靶材原子掉落所導致晶圓報廢和物理氣相沉積腔體被污染的風險。

實用新型內容

針對現有技術存在的不足，本實用新型的目的在于提供一種晶圓沉積覆蓋環，所述晶圓沉積覆蓋環通過在顆粒層的基礎上，進一步增加滾花層的設計，有效地增加了晶圓沉積覆蓋環的吸附能力，降低了由于濺射下來的靶材原子掉落所導致晶圓報廢和物理氣相沉積腔體被污染的風險。

為達此目的，本實用新型采用以下技術方案：

本實用新型的目的在于提供一種晶圓沉積覆蓋環，所述晶圓沉積覆蓋環呈現閉合環狀，所述晶圓沉積覆蓋環的內周面、上表面和外周面均覆蓋有顆粒層，所述顆粒層外側覆蓋有滾花層。

本實用新型所述晶圓沉積覆蓋環通過在顆粒層的基礎上，進一步增加滾花層的設計，有效地增加了晶圓沉積覆蓋環的吸附能力，不僅可以防止濺射下來的靶材原子掉落在晶圓上的問題，進而避免晶圓產生剝皮問題或異常放電現象，防止晶圓報廢，還可以有效防止濺射下來的靶材原子掉落在物理氣相沉積腔體內導致腔體被污染。