[實用新型]一種制動可信度檢測裝置

有效

• 申請號: 202022367638.2
• 申請日: 2020-10-22
• 公開（公告）號: CN213619722U
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 李希旺;崔照楓;張小俊
• 申請（專利權）人: 河北工業大學
• 主分類號: B60T17/22
• 分類號: B60T17/22
• 代理公司: 天津易企創知識產權代理事務所(普通合伙) 12242
• 代理人: 黃彩榮

1.一種制動可信度檢測裝置，其特征在于，包括：

電壓轉換電路(1)，所述電壓轉換電路(1)用于將12V直流電壓轉換為5V直流電壓，作為裝置運行標準電壓；

信號比較電路(2)，用于接收制動壓力信號和接收節氣門開度信號，且將接收到的制動壓力信號和接收節氣門開度信號與參考電壓進行比較；

邏輯運算電路(3)，與所述信號比較電路(2)相耦接，用于對來自所述信號比較電路(2)的兩路輸出信號進行邏輯運算；

開關控制電路(4)，與所述邏輯運算電路(3)相耦接，用于依據所述邏輯運算電路(3)輸出的信號來產生延時開關信號；

繼電器輸出電路(5)，與所述開關控制電路(4)相耦接，用于依據所述開關控制電路(4)產生的延時開關信號來控制繼電器(27)的通斷；

上電復位電路(6)，與所述開關控制電路(4)相耦接，用于使裝置上電復位狀態。

2.根據權利要求1所述的制動可信度檢測裝置，其特征在于，所述電壓轉換電路(1)包括：相互耦接的7805電壓轉換芯片電路(7)、電源指示燈電路(8)和濾波電容，所述電源指示燈電路(8)一端耦接7805電壓轉換芯片電路(7)的輸出端，另一端連接地。

3.根據權利要求2所述的制動可信度檢測裝置，其特征在于，所述信號比較電路(2)包括：相互耦接的第一LM393電壓比較芯片電路(11)、參考電壓調節電路(10)、濾波電容和上拉電阻，所述第一LM393電壓比較芯片電路(11)用于接收制動壓力信號和節氣門開度信號。

4.根據權利要求3所述的制動可信度檢測裝置，其特征在于，所述參考電壓調節電路(10)設置為由第一電阻(13)和第一可調電阻(12)構成的串聯分壓電路，所述第一可調電阻(12)一端連接5V直流電壓，另一端耦接第一LM393電壓比較芯片電路(11)反向輸入端，所述第一電阻(13)一端耦接第一LM393電壓比較芯片電路(11)反向輸入端，另一端連接地。

5.根據權利要求3所述的制動可信度檢測裝置，其特征在于，所述邏輯運算電路(3)包括：與門芯片電路(15)和觸發指示燈電路(14)，所述觸發指示燈電路(14)一端耦接所述與門芯片電路(15)輸出端，另一端連接地，電壓比較電路輸出的兩路輸入信號分別輸入所述與門芯片電路(15)的輸入端INA和INB。

6.根據權利要求5所述的制動可信度檢測裝置，其特征在于，所述開關控制電路(4)包括：耦接的第二LM393電壓比較芯片電路(19)、0.5秒延時觸發電路(18)、可調延時復位電路(17)、第一參考電壓電路(20)、第二參考電壓電路(21)、濾波電容和上拉電阻。

7.根據權利要求6所述的制動可信度檢測裝置，其特征在于，所述0.5秒延時觸發電路(18)設置為由第二電阻(23)和第一電容(24)構成RC延時電路，所述第一電容(24)一端耦接第二LM393電壓比較芯片電路(19)1號反向輸入端，另一端連接地，所述第二電阻(23)一端耦接與門芯片電路(15)輸出端，另一端耦接第二LM393電壓比較芯片電路(19)1號反向輸入端。

8.根據權利要求6所述的制動可信度檢測裝置，其特征在于，所述可調延時復位電路(17)包括：PMOS管(22)、第二可調電阻(26)以及第二電容(25)，所述PMOS管(22)柵極耦接第二LM393電壓比較芯片電路(19)1號輸出端，源極連接5V直流電壓，所述第二可調電阻(26)一端連接地，另一端耦接所述PMOS管(22)漏極，所述第二電容(25)一端耦接所述PMOS管(22)漏極，另一端連接5V直流電壓。

9.根據權利要求8所述的制動可信度檢測裝置，其特征在于，所述繼電器輸出電路(5)包括：耦接的第一NMOS管(28)和繼電器(27)，所述第一NMOS管(28)柵極耦接第二LM393電壓比較芯片電路(19)2號輸出端，源極連接地，所述繼電器(27)一端連接12V直流電壓，另一端耦接所述第一NMOS管(28)漏極，公共端作為COM1，常閉端作為COM2。

10.根據權利要求9所述的制動可信度檢測裝置，其特征在于，所述上電復位電路(6)包括第二NMOS管(29)以及由第三電阻(31)和第三電容(30)構成的RC可調延時電路，所述第二NMOS管(29)源極連接地，漏極耦接第二LM393電壓轉換芯片電路2號正相輸入端，所述第三電阻(31)一端耦接所述第二NMOS管(29)柵極，另一端連接5V直流電壓，所述第三電容(30)一端耦接所述第二NMOS管(29)柵極，另一端連接地。