[實用新型]磁控濺射設備的可調式擋板

有效

• 申請號: 202022361509.2
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN214168116U
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 唐云俊;王昱翔;周虹玲;周東修
• 申請（專利權）人: 浙江艾微普科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/50;C23C14/54
• 代理公司: 嘉興啟帆專利代理事務所(普通合伙) 33253
• 代理人: 王大國

本實用新型公開了一種磁控濺射設備的可調式擋板，包括基底，所述基底上開設有通透上下表面的濺射口，所述濺射口內設置有移動擋片，移動擋片與基底水平滑動連接，移動擋片與基底之間設置有固定件，本實用新型可以現場根據實際濺射狀況進行調整移動擋片的位置，以隨時調節薄膜沉積均勻性，大幅減少新擋板設計、加工時間，提高工藝研發效率。

技術領域

本實用新型屬于磁控濺射鍍膜設備領域，更具體的說涉及一種磁控濺射設備的可調試擋板。

背景技術

在真空條件下，利用氣相沉積技術在基片表面鍍制薄膜是獲得優良力學性能、特殊物理/化學性能薄膜材料的重要途徑，是當今材料科學、物理科學等領域的研究熱點。氣相沉積技術的核心問題在于利用所選定的沉積方法(如磁控濺射、脈沖激光沉積等)，在待鍍的基片表面獲得所需性能的薄膜材料。

磁控濺射過程需要通過磁控濺射設備來實現，設備運行過程中，樣品盤旋轉，而靶材固定，圓形基片以均勻角速度經過圓形靶材之下，造成沉積到基片上的薄膜均勻性不好(5％StdD10％)，通常是內徑區域薄膜較厚、外徑區域較薄。

在靶材下加入擋板，則可以調節薄膜沉積均勻性，達到StdD1.5％。

目前在的擋板均為固定式擋板，可以有圓形、橄欖球形、蘑菇形、銅錢形等，在工藝研發過程中，擋板的形狀，需根據上一次工藝測試的結果進行調整，每一次調整都需要重新設計、加工、打開腔體安裝、腔體抽真空等，通常需要3-5天。

而一個工藝的研發，通常需要幾次到十幾次這樣的調整，這導致研發效率低下、機器性能下降(如腔體被污染，顆粒增加等)、產生故障的可能性增加。

實用新型內容

針對現有技術的不足，本實用新型提供了一種可以現場根據實際濺射狀況進行調整移動擋片的位置，以隨時調節薄膜沉積均勻性，大幅減少新擋板設計、加工時間，提高工藝研發效率。

為實現上述目的，本實用新型提供了如下技術方案：一種磁控濺射設備的可調式擋板，包括基底，所述基底上開設有通透上下表面的濺射口，所述濺射口內設置有移動擋片，移動擋片與基底水平滑動連接，移動擋片與基底之間設置有固定件。

進一步的所述基底包括支撐圍壁和支撐橫梁，所述支撐圍壁包括近端和遠端，所述支撐橫梁貫穿濺射口連接近端和遠端，所述移動擋片與支撐橫梁水平滑動連接。

進一步的所述支撐橫梁呈條狀，所述移動擋片上開設有與支撐橫梁相配合的移動凹槽，支撐橫梁伸入移動凹槽內。

進一步的所述支撐圍壁呈環狀，所述移動擋片呈橢圓狀，移動擋片的長軸與支撐橫梁長度方向相同。

進一步的所述支撐橫梁的中部設置有固定板，所述移動擋片設置有兩個，移動擋片與固定板部分重疊，兩個移動擋片分別靠近支撐圍壁的近端和遠端。

進一步的所述固定件包括螺釘，所述移動擋片上開設有條形槽，條形槽的長度方向與支撐橫梁長度方向相同，所述支撐橫梁上開設螺紋孔，螺釘穿過條形槽與螺紋孔配合。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：通過在基底上設置有可移動的移動擋片，移動擋片將部分區域遮擋，在濺射過程中，濺射物質不能通過，速率降低，而移動擋片與基底之間未被遮擋的區域則形成濺射區，在現場進行濺射調試時，可以根據濺射狀況，不斷的調整移動擋片在基底上的位置，即調整移動擋片與近端和遠端之間的間距，以達到最佳的薄膜沉積均勻性，無需不斷的設計新擋板，調節效率高。

附圖說明

圖1為實施例一的主視圖；

圖2為實施例一中移動擋片與基底分離時的立體結構示意圖；

圖3為實施例二的主視圖(狀態一)；

圖4為實施例二的主視圖(狀態二)；