[實用新型]一種自動真空厭氧隧道爐有效
| 申請號: | 202022277858.6 | 申請日: | 2020-10-13 |
| 公開(公告)號: | CN213318198U | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發明(設計)人: | 羅佐軍;胡遠崗 | 申請(專利權)人: | 常州常耀半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | B23K3/00 | 分類號: | B23K3/00;B23K3/08;B23K1/008 |
| 代理公司: | 杭州昱呈專利代理事務所(普通合伙) 33303 | 代理人: | 雷仕榮 |
| 地址: | 213000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 自動 真空 隧道 | ||
本實用新型提供了一種自動真空厭氧隧道爐,包括機架、安裝在機架上的運輸裝置、依次設置在運輸裝置上的預存去氧裝置以及熱處理裝置,熱處理裝置包括加熱腔室、安裝在加熱腔室內的加熱組件以及連通至加熱腔室內的負壓管道,加熱組件包括固定安裝在加熱腔室內的加熱罩以及附著在加熱罩上的換熱管,加熱罩罩設在運輸裝置上,換熱管設置在加熱罩上背離運輸裝置的側面上,負壓管道貫穿加熱腔室的側壁設置,換熱管可提高加熱腔室內的溫度,負壓管道可抽吸加熱腔室的內部氣體,通過換熱管提高加熱腔室內的溫度,負壓管道改變加熱腔室內的氣壓,從而可將治具和晶圓片之間的焊錫塊內的氣泡抽出。
技術領域
本實用新型涉及焊接設備技術領域,尤其設計一種自動真空厭氧隧道爐。
背景技術
在生產電子芯片時,電子芯片的的主要構件為硅材質制成的晶圓片,晶圓片在加工時需要盛裝至治具中,為加固晶圓片在治具上的位置,常常在晶圓片和治具的接觸位置處以加熱焊錫的方式焊接晶圓片至治具上,而傳統的焊接過程會導致錫焊處出現氣泡鼓脹的現象,氣泡鼓脹后導致焊接面減小,焊接力度下降,對后續晶圓片的加工過程造成不利影響,具體為晶圓片由于在治具上的位置不穩定,激光雕刻、超聲波清洗等工序加工效果不理想。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是:在晶圓片和治具的焊接位置處會產生氣泡,導致晶圓片在治具上的位置發生松動。
本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:一種自動真空厭氧隧道爐,包括機架、安裝在所述機架上的運輸裝置、依次設置在所述運輸裝置上的預存去氧裝置以及熱處理裝置,所述熱處理裝置包括加熱腔室、安裝在所述加熱腔室內的加熱組件以及連通至所述加熱腔室內的負壓管道,所述加熱組件包括固定安裝在所述加熱腔室內的加熱罩以及附著在所述加熱罩上的換熱管,所述加熱罩罩設在所述運輸裝置上,所述換熱管設置在所述加熱罩上背離所述運輸裝置的側面上,所述負壓管道貫穿所述加熱腔室的側壁設置,所述換熱管可提高所述加熱腔室內的溫度,所述負壓管道可抽吸所述加熱腔室的內部氣體。
進一步的,所述加熱腔室的側壁上安裝有攪拌電機,所述攪拌電機的轉軸上固定安裝有攪拌軸,所述攪拌軸延伸至所述加熱腔室和所述加熱罩之間。
進一步的,所述熱處理裝置還包括冷卻腔室,所述冷卻腔室設置在所述加熱腔室的側壁上,所述冷卻腔室中設有冷卻風機,所述冷卻風機可對所述冷卻腔室的內部空間進行冷卻。
進一步的,所述預存去氧裝置包括去氧腔室,所述去氧腔室和所述冷卻腔室分設在所述加熱腔室的兩側,所述去氧腔室的側壁上設置有去氧管道以及穩壓管道。
進一步的,所述預存去氧裝置還包括進料腔室,所述進料腔室、所述去氧腔室、所述加熱腔室以及所述冷卻腔室沿所述機架的方向依次設置。
進一步的,各個腔室沿所述機架方向的側壁上均開有運輸口,所述運輸口上罩設有氣動門組件,所述氣動門組件包括安裝于所述腔室側壁上的行程板、兩個對稱安裝在所述行程板上的行程桿、可滑動地套設至所述行程桿上的抵持氣缸以及固定安裝在所述抵持氣缸活塞軸上的密封板,所述密封板可在所述抵持氣缸的推抵下貼合至所述運輸口上。
進一步的,所述行程桿有兩個,所述行程桿分設在所述運輸口的兩側,所述氣動門組件還包括可滑動地套設至所述行程桿上的滑動框,所述抵持氣缸安裝在所述滑動框上。
進一步的,所述運輸裝置包括安裝在所述機架上的運輸輥組件,所述運輸輥組件包括設置在所述機架側邊上的驅動電機以及安裝在所述機架上的轉動輥,所述轉動輥有多個,所述轉動輥沿所述機架的方向均勻排列,所述驅動電機可驅動所述轉動輥在所述機架上轉動。
進一步的,所述轉動輥上套有軸承,所述轉動輥通過所述軸承安裝至所述機架上,所述加熱腔室和所述加熱罩均貫穿所述轉動輥之間的間隙。
進一步的,所述轉動輥上套設有從動齒輪,多個所述從動齒輪上配合套設有齒條,所述驅動電機的轉軸上套設有主動齒輪,所述主動齒輪嚙合于所述齒條。
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