[實用新型]太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202022261656.2 | 申請日: | 2020-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN212848424U | 公開(公告)日: | 2021-03-30 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李兵;劉娜;楊慧;鄧偉偉;蔣方丹 | 申請(專利權(quán))人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 胡彭年 |
| 地址: | 215000 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 | ||
本申請?zhí)峁┝艘环N太陽能電池,包括硅基底、依次設置在所述硅基底一側(cè)表面的隧穿層與摻雜多晶硅層、設置在所述摻雜多晶硅層上的介質(zhì)層與金屬電極;所述金屬電極包括貫穿所述介質(zhì)層并與所述摻雜多晶硅層相接觸的底層電極、層疊設置在所述底層電極上的頂層電極。本申請?zhí)柲茈姵赝ㄟ^將至少部分金屬電極設置由底層電極與頂層電極共同構(gòu)成,保證電池鈍化與電性傳輸性能,減少金屬電極與摻雜多晶硅層的接觸面積與復合損失,也降低漿料耗量與原料成本。
技術(shù)領域
本實用新型涉及光伏發(fā)電技術(shù)領域,特別涉及一種太陽能電池。
背景技術(shù)
近年來,國內(nèi)外光伏市場對高效太陽能電池的需求不斷提高,業(yè)內(nèi)眾多廠商也紛紛著力于高效電池的研究與開發(fā)。TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact,隧穿氧化層鈍化接觸)電池通過在電池表面制備一層超薄的隧穿氧化層和一層摻雜多晶硅層,提高表面鈍化性能,并可降低金屬接觸復合電流,有效提升電池的開路電壓與短路電流。
上述TOPCon電池在金屬化制程中,由于摻雜多晶硅層設置較薄,其所采用的導電漿料在高溫燒結(jié)過程中易破壞電池整體鈍化結(jié)構(gòu)。因此需要對漿料組成進行優(yōu)選設計,降低其與摻雜多晶硅層的接觸電阻及復合損失;同時還需保證金屬電極的電流傳輸性能。
鑒于此,有必要提供一種新的太陽能電池。
實用新型內(nèi)容
本申請的目的在于提供一種太陽能電池,能夠保證電池鈍化與電流傳輸性能,降低漿料耗量與原料成本。
為實現(xiàn)上述目的,本申請實施例提供了一種太陽能電池,包括硅基底、依次設置在所述硅基底一側(cè)表面的隧穿層與摻雜多晶硅層、設置在所述摻雜多晶硅層上的介質(zhì)層與金屬電極;所述金屬電極包括貫穿所述介質(zhì)層并與所述摻雜多晶硅層相接觸的底層電極、層疊設置在所述底層電極上的頂層電極。
作為本申請實施例的進一步改進,所述金屬電極還包括主柵,所述主柵設置在所述介質(zhì)層表面且與所述摻雜多晶硅層相隔離,或,至少部分所述主柵貫穿所述介質(zhì)層并與所述摻雜多晶硅層相接觸。
作為本申請實施例的進一步改進,所述主柵沿第一方向延伸;所述底層電極與頂層電極共同形成沿垂直于第一方向的第二方向延伸且與所述主柵相連接的副柵。
作為本申請實施例的進一步改進,所述副柵包括沿第二方向依次間隔設置的若干底層電極。
作為本申請實施例的進一步改進,所述副柵包括沿第二方向首尾依次排列且相互間隔的若干子柵線,所述主柵位于兩條相鄰所述子柵線之間且兩條相鄰所述子柵線相向的一端連接在相應的主柵上。
作為本申請實施例的進一步改進,所述底層電極的寬度設置25~40μm;所述頂層電極的寬度設置不小于30μm。
作為本申請實施例的進一步改進,所述頂層電極連接在所述主柵上,且所述頂層電極與所述主柵兩者的交疊區(qū)域沿垂直于所述主柵的方向的寬度設置不小于15μm。
作為本申請實施例的進一步改進,所述底層電極設置為銀電極;所述頂層電極設置為鋁電極。
作為本申請實施例的進一步改進,所述底層電極的厚度設置為3~4μm。
作為本申請實施例的進一步改進,所述底層電極不超出所述頂層電極。
本申請的有益效果是:本申請?zhí)柲茈姵赝ㄟ^與所述摻雜多晶硅層相接觸的底層電極收集表面電流,再通過層疊設置在底層電極上的頂層電極進行電流傳輸,避免頂層電極接觸摻雜多晶硅層,保證電池鈍化與電流傳輸性能,減小接觸電池與復合損失,還能降低漿料耗量與原料成本。
附圖說明
圖1是本申請?zhí)柲茈姵氐慕Y(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本申請?zhí)柲茈姵氐谋趁媸疽鈭D;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





