[實用新型]一種氮化鎵晶體管結構有效
| 申請號： | 202022157595.5 | 申請日： | 2020-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN213519980U | 公開（公告）日： | 2021-06-22 |
| 發明（設計）人： | 陳敏;戴維;孫春明;鄭超;歐新華;袁瓊 | 申請（專利權）人： | 上海芯導電子科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/45 |
| 代理公司： | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人： | 黨蕾 |
| 地址： | 200120 上海市浦東新區中國*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 晶體管 結構 | ||
1.一種氮化鎵晶體管結構，其特征在于，包括：
一襯底；
一氮化鎵溝道層，設置于所述襯底上；
一勢壘層，設置于所述氮化鎵溝道層上；
兩個溝槽，分別設置于所述勢壘層的兩側，每個所述溝槽包括一第一刻蝕區和一第二刻蝕區，所述第一刻蝕區的底部位于所述勢壘層內，所述第二刻蝕區的底部延伸至所述氮化鎵溝道層內。
2.根據權利要求1所述的氮化鎵晶體管結構，其特征在于，還包括一二維電子氣層，設置于所述氮化鎵溝道層與所述勢壘層之間，部分覆蓋于所述氮化鎵溝道層的上表面，所述氮化鎵溝道層的兩側直接與所述勢壘層接觸。
3.根據權利要求2所述的氮化鎵晶體管結構，其特征在于，兩個所述溝槽的所述第二刻蝕區分別位于所述二維電子氣層的兩側。
4.根據權利要求1所述的氮化鎵晶體管結構，其特征在于，所述第一刻蝕區的寬度大于所述第二刻蝕區的寬度。
5.根據權利要求3所述的氮化鎵晶體管結構，其特征在于，兩個所述溝槽的尺寸及形狀相同，用于填充導電介質以分別形成所述氮化鎵晶體管結構的源極和漏極。
6.根據權利要求5所述的氮化鎵晶體管結構，其特征在于，所述勢壘層的上表面設有柵極，所述柵極位于所述源極和所述漏極之間。
7.根據權利要求1所述的氮化鎵晶體管結構，其特征在于，所述勢壘層的材料包括鋁鎵氮或氮化鎵。
8.根據權利要求1所述的氮化鎵晶體管結構，其特征在于，還包括一氮化鎵緩沖層，設置于所述襯底上。
9.根據權利要求8所述的氮化鎵晶體管結構，其特征在于，還包括氮化鋁層，設置于所述襯底與所述氮化鎵緩沖層之間。
10.根據權利要求1所述的氮化鎵晶體管結構，其特征在于，所述第一刻蝕區和所述第二刻蝕區的底部及側壁均覆蓋有歐姆金屬。
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