[實(shí)用新型]中心自聚焦圓環(huán)陣探頭

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202022137713.6
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN213181407U
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡慶生;鄧宇;陳奇禮;王黎
• 申請（專利權(quán)）人: 廣州多浦樂電子科技股份有限公司
• 主分類號: G01N29/24
• 分類號: G01N29/24;G01N29/26
• 代理公司: 重慶航圖知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 50247
• 代理人: 胡小龍

1.一種中心自聚焦圓環(huán)陣探頭，其特征在于：包括：

中心晶片，用于實(shí)現(xiàn)工件表層的單元點(diǎn)自聚焦掃查；

環(huán)形晶片，通過電子聚焦實(shí)現(xiàn)工件深度方向上的聚焦掃查；

所述環(huán)形晶片套裝設(shè)置在所述中心晶片外并與所述中心晶片同軸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中心自聚焦圓環(huán)陣探頭，其特征在于：所述中心晶片的內(nèi)側(cè)面和外側(cè)面為同心的球面，且所述中心晶片的內(nèi)側(cè)面和外側(cè)面的球面圓所在的平面距離對應(yīng)的所述球面的最大距離小于等于該球面的半徑。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的中心自聚焦圓環(huán)陣探頭，其特征在于：所述中心晶片的內(nèi)側(cè)面的球徑為2-300mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中心自聚焦圓環(huán)陣探頭，其特征在于：所述中心晶片和所述環(huán)形晶片均采用壓電陶瓷或壓電復(fù)合材料制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的中心自聚焦圓環(huán)陣探頭，其特征在于：所述環(huán)形晶片設(shè)為至少兩個，所有的所述環(huán)形晶片沿著所述中心晶片的外側(cè)面球面圓的徑向向外的方向依次設(shè)置；相鄰兩個所述環(huán)形晶片中，靠近所述中心晶片的所述環(huán)形晶片的外徑小于等于遠(yuǎn)離所述中心晶片的所述環(huán)形晶片的內(nèi)徑；所有的所述環(huán)形晶片中，距離所述中心晶片最近的所述環(huán)形晶片的內(nèi)徑大于等于所述中心晶片外側(cè)面的球面圓直徑。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的中心自聚焦圓環(huán)陣探頭，其特征在于：所有的所述環(huán)形晶片的面積相等。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的中心自聚焦圓環(huán)陣探頭，其特征在于：所述環(huán)形晶片的數(shù)量為2-100片。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的中心自聚焦圓環(huán)陣探頭，其特征在于：所述中心晶片和所述環(huán)形晶片相對的第一表面和第二表面均設(shè)有電極層；設(shè)置在所述中心晶片的所述第一表面上以及設(shè)置在所有的所述環(huán)形晶片的所述第一表面上的電極層之間采用第一導(dǎo)線導(dǎo)通；設(shè)置在所述中心晶片的所述第二表面上以及設(shè)置在所有的所述環(huán)形晶片的所述第二表面上的電極層上分別設(shè)有第二導(dǎo)線。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的中心自聚焦圓環(huán)陣探頭，其特征在于：所述電極層采用金、銀、銅、鉻和鎳中的一種金屬材料制成或至少兩種金屬材料的合金制成。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的中心自聚焦圓環(huán)陣探頭，其特征在于：所述中心晶片的所述第一表面上以及所有的所述環(huán)形晶片的所述第一表面上分別設(shè)有至少一層匹配層。