[發明專利]體聲波濾波器裝置

有效

• 申請號: 201710402843.8
• 申請日: 2017-06-01
• 公開（公告）號: CN107733391B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 千成鐘
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/05;H03H9/10;H03H9/58
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 錢海洋;金光軍

本申請要求于2016年8月11日提交到韓國知識產權局的第10-2016-0102557號韓國專利申請的優先權和權益，所述韓國專利申請的全部公開內容出于所有目的通過引用被包含于此。

技術領域

以下描述涉及體聲波濾波器裝置。

背景技術

體聲波(BAW)雙工器可包括：用于發送和接收的BAW濾波器，分別表面安裝在多層基板上；輔助電路，利用多層基板實施。由于BAW濾波器可以以二維的方式表面安裝在多層基板上，因此在空間最小化方面可能會有限制。

另外，由于RF前端模塊的厚度被減小，因此BAW雙工器的厚度也需要被減小。為此，需要實施薄的多層基板。當電感器形成在薄的多層基板上時，從地面的高度可能會相對低，因此，形成BAW雙工器所需的電感器的品質因數(Q)也可能會低，這樣可能會導致插入損耗的增加。

此外，當在BAW雙工器上執行晶圓級封裝(WLP)時，BAW雙工器可通過涂敷粘合材料并使粘合材料熔化以在晶圓之間形成結合部來密封。然而，這樣可能不能完全阻擋水分或其他污染物滲入BAW雙工器。

發明內容

提供本發明內容以簡化的形式對所選擇的構思進行介紹，并在下面的具體實施方式中進一步描述所述構思。本發明內容既不意于限定所要求保護的主題的主要特征或必要特征，也無意幫助確定所要求保護的主題的范圍。

在一個總的方面中，一種體聲波濾波器裝置包括：第一基板；第一濾波器，在所述體聲波濾波器裝置的腔內，所述第一濾波器設置在所述第一基板上；第二基板，結合到所述第一基板；在所述腔內，所述第二濾波器設置在所述第二基板上并且面對所述第一濾波器；第一電感器層，設置在所述第一基板上以及所述第一濾波器的周圍；第二電感器層，設置在所述第二基板上以及所述第二濾波器的周圍，并結合到所述第一電感器層；及密封構件，與所述第一電感器層和所述第二電感器層一起密封所述腔。

所述第一電感器層和所述第二電感器層可具有彼此對應的螺旋形狀。

所述密封構件可形成在所述第一電感器層和所述第二電感器層的敞開區域中。

所述密封構件可包含多晶硅材料。

所述第一電感器層的厚度可大于所述第一電感器層的寬度，所述第二電感器層的厚度可大于所述第二電感器層的寬度。

所述第一基板可包括設置在所述第一電感器層周圍的蝕刻槽，所述第二基板可包括設置在所述第二電感器層周圍的蝕刻槽。

所述蝕刻槽可通過反應離子蝕刻(RIE)形成。

所述第一電感器層和所述第二電感器層可包含銅和鎳中的任意一種，并且可通過鍍覆形成。

所述第一電感器層和所述第二電感器層可通過共晶鍵合彼此結合。

所述體聲波濾波器裝置還可包括設置在所述第一基板的底表面上且連接到過孔的連接墊。

所述第一基板可包括其上形成有所述第一電感器層以及所述密封構件的輔助層，所述第二基板可包括其上形成有所述第二電感器層以及所述密封構件的輔助層。

所述密封構件可設置在所述輔助層的其上沒有形成所述第一電感器層和所述第二電感器層的部分上。

所述體聲波濾波器裝置還可包括：第一結合層，在所述第一電感器層的外部，所述第一結合層設置在所述第一基板上；及第二結合層，設置在所述第二基板上且結合到所述第一結合層。

在另一總的方面中，一種體聲波濾波器裝置包括：第一基板；第一濾波器，在所述體聲波濾波器裝置的腔內，所述第一濾波器設置在所述第一基板上；第二基板，結合到所述第一基板；第二濾波器，在所述腔內，所述第二濾波器設置在所述第二基板上并且面對所述第一濾波器；電感器，具有螺旋形狀并包括包圍所述第一濾波器和所述第二濾波器的第一電感器層和第二電感器層；及密封構件，密封所述電感器的一部分以密封所述腔。

所述第一基板可包括設置在所述第一電感器層周圍的蝕刻槽，所述第二基板可包括設置在所述第二電感器層周圍的蝕刻槽。

所述第一電感器層的厚度可大于所述第一電感器層的寬度，所述第二電感器層的厚度可大于所述第二電感器層的寬度。

所述密封構件可包含多晶硅材料。

所述電感器和所述密封構件可結合到所述第一基板和所述第二基板。

通過以下具體實施方式、附圖以及權利要求，其他特征和方面將是顯而易見的。

附圖說明

圖1是示出根據實施例的體聲波濾波器裝置的示意性截面圖。

圖2是示出圖1的體聲波濾波器裝置的第一電感器層的示圖。