[實(shí)用新型]晶圓級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202021696344.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN212392233U | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 殷晨光;陳彥亨 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯長(zhǎng)電半導(dǎo)體(江陰)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/31 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 214437 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓級(jí) 芯片 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種晶圓級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
第一封裝層;
固定于所述第一封裝層表面的第一芯片;
覆蓋所述第一芯片和所述第一封裝層的第二封裝層;
位于所述第二封裝層上方的重新布線層,所述重新布線層電性連接所述第一芯片;
位于所述重新布線層上方的第二芯片,所述第二芯片電性連接所述重新布線層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述第二封裝層中還形成有連接所述重新布線層和所述第一芯片的通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述重新布線層包括至少一層金屬布線層和包裹所述金屬布線層的電介質(zhì)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:在所述重新布線層上還形成有焊球。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:在所述重新布線層和所述第二芯片之間還形成有填充層。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯長(zhǎng)電半導(dǎo)體(江陰)有限公司,未經(jīng)中芯長(zhǎng)電半導(dǎo)體(江陰)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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