[實用新型]一種具有表面凹凸結構的陶瓷介質芯片及陶瓷電容器有效
| 申請號： | 202021492015.1 | 申請日： | 2020-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN212625195U | 公開（公告）日： | 2021-02-26 |
| 發明（設計）人： | 蔣小明;姚飛;馬永香;韓阿敏 | 申請（專利權）人： | 陜西華星電子開發有限公司 |
| 主分類號： | H01G4/12 | 分類號： | H01G4/12;H01G4/012 |
| 代理公司： | 西安泛想力專利代理事務所(普通合伙) 61260 | 代理人： | 石琳丹 |
| 地址： | 712034 陜西省西安市西咸新區*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 表面 凹凸 結構 陶瓷 介質 芯片 電容器 | ||
1.一種具有表面凹凸結構的陶瓷介質芯片，包括陶瓷介質瓷體和設置于陶瓷介質瓷體正反面的一對電極，所述陶瓷介質瓷體的主體為圓柱形；其特征在于：所述陶瓷介質瓷體正反面對應于所述一對電極的覆蓋區域形成對稱的凹槽，所述電極是通過濺射工藝在凹槽底面形成的電極鍍層；所述凹槽底面以及電極平面的中部區域形成凸起，該凸起的側面與凹槽底面以及電極平面相應的外圍區域為圓弧過渡相接。
2.根據權利要求1所述的一種具有表面凹凸結構的陶瓷介質芯片，其特征在于：所述凸起的直徑d為碟形結構的所述陶瓷介質芯片外徑D的1/4。
3.根據權利要求1所述的一種具有表面凹凸結構的陶瓷介質芯片，其特征在于：所述凹槽的內側面為斜面，該斜面與凹槽底面的夾角大于90度。
4.根據權利要求3所述的一種具有表面凹凸結構的陶瓷介質芯片，其特征在于：所述斜面與凹槽底面的夾角為160度。
5.根據權利要求1所述的一種具有表面凹凸結構的陶瓷介質芯片，其特征在于：所述凹槽底面以及電極平面均為圓形。
6.根據權利要求1所述的一種具有表面凹凸結構的陶瓷介質芯片，其特征在于：所述電極鍍層或其表面為銅層。
7.根據權利要求1所述的一種具有表面凹凸結構的陶瓷介質芯片，其特征在于：所述電極鍍層的厚度為0.8-1.0微米。
9.一種陶瓷電容器，包括陶瓷介質芯片、電極引線和絕緣包封層，其特征在于，所述陶瓷介質芯片為權利要求1所述的一種具有表面凹凸結構的陶瓷介質芯片。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于陜西華星電子開發有限公司，未經陜西華星電子開發有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202021492015.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
