[發明專利]一種噻吩類聚合物薄膜及其制備方法與應用

有效

• 申請號: 202110147279.6
• 申請日: 2021-02-03
• 公開（公告）號: CN112898543B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 張誠;沈熠瑤;呂耀康
• 申請（專利權）人: 浙江工業大學
• 主分類號: C08G61/12
• 分類號: C08G61/12;C09K9/02
• 代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司 33201
• 代理人: 黃美娟

1.一種噻吩類聚合物薄膜，其特征在于：所述噻吩類聚合物薄膜為式1所示聚合物P(E2SBFE2)構成：

。

2.如權利要求1所述的噻吩類聚合物薄膜，其特征在于：所述噻吩類聚合物薄膜按照如下方法制備：

采用三電極體系，以氧化銦錫玻璃作為工作電極，鉑片作為對電極，銀/氯化銀作為參比電極，將單體2,7–二（2,2’,3,3’–四氫–5,5’–二噻吩并[3,4-b][1,4]二氧雜環己烯）–9,9’–螺二芴以及四丁基六氟磷酸銨溶于二氯甲烷中作為電解液，進行電化學聚合，電化學聚合完成后將所述電解液更換成四丁基六氟磷酸銨的二氯甲烷溶液，并采用恒電位法以-0.2V脫摻雜60s，得到所述噻吩類聚合物薄膜；所述電解液中,單體2,7–二（2,2’,3,3’–四氫–5,5’–二噻吩并[3,4-b][1,4]二氧雜環己烯）–9,9’–螺二芴的濃度為0.1mmol/L ~100mmol/L，四丁基六氟磷酸銨的濃度為0.01mol/L ~ 0.5mol/L；所述四丁基六氟磷酸銨的二氯甲烷溶液中四丁基六氟磷酸銨的濃度為0.01mol/L ~ 0.5mol/L。

3.如權利要求2所述的噻吩類聚合物薄膜，其特征在于：所述電解液中,單體2,7–二（2,2’,3,3’–四氫–5,5’–二噻吩并[3,4-b][1,4]二氧雜環己烯）–9,9’–螺二芴的濃度為1mmol/L。

4.如權利要求2所述的噻吩類聚合物薄膜，其特征在于：所述電解液中，四丁基六氟磷酸銨的濃度為0.1mol/L。

5.如權利要求2所述的噻吩類聚合物薄膜，其特征在于：所述四丁基六氟磷酸銨的二氯甲烷溶液中四丁基六氟磷酸銨的濃度為0.1mol/L。

6.如權利要求2所述的噻吩類聚合物薄膜，其特征在于：所述電化學聚合采用恒電位聚合法室溫下以1.2~1.5V的電壓，0.02C~0.2C的電量進行聚合。

7.如權利要求6所述的噻吩類聚合物薄膜，其特征在于：所述電化學聚合的條件為以1.4V的電壓， 0.05C的電量進行聚合。

8.如權利要求2所述的噻吩類聚合物薄膜，其特征在于：所述電化學聚合采用循環伏安聚合法以0~1.4V，100mv/s的掃描速度，掃描3-30個循環進行聚合。

9.如權利要求8所述的噻吩類聚合物薄膜，其特征在于：所述電化學聚合為掃描5個循環進行聚合。

10.如權利要求1所述的噻吩類聚合物薄膜在制備電致變色材料中的應用。