[實用新型]半導體結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202021449927.0
• 申請日: 2020-07-21
• 公開（公告）號: CN212342636U
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發(fā)明（設計）人: 程凱
• 申請（專利權）人: 蘇州晶湛半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06;H01L29/08
• 代理公司: 北京博思佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11415
• 代理人: 林祥

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

半導體襯底(10)與位于所述半導體襯底(10)的正面(10a)的異質結(11)，所述半導體襯底(10)的背面(10b)具有漏極區(qū)域(10c)，所述異質結(11)包括柵極區(qū)域(11c)與位于所述柵極區(qū)域(11c)兩側的源極區(qū)域(11d)，所述半導體襯底(10)包括超結結構(12)，所述超結結構(12)包括若干P型層(12a)與若干N型層(12b)，所述P型層(12a)與所述N型層(12b)自所述半導體襯底(10)的正面(10a)在所述半導體襯底(10)的厚度方向延伸且在所述源極區(qū)域(11d)的連線方向上交替分布。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體襯底(10)的導電類型為P型，所述P型半導體襯底(10)充當所述P型層(12a)；或所述半導體襯底(10)的導電類型為N型，所述N型半導體襯底(10)充當所述N型層(12b)。

3.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述P型層(12a)與所述N型層(12b)自所述半導體襯底正面(10a)延伸至所述半導體襯底(10)的部分厚度；或所述P型層(12a)與所述N型層(12b)自所述半導體襯底正面(10a)延伸至所述半導體襯底(10)的全部厚度。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體襯底(10)與所述異質結(11)之間自下而上還包括：成核層(15)與緩沖層(16)；所述超結結構(12)還位于所述成核層(15)內(nèi)，或位于所述成核層(15)與所述緩沖層(16)內(nèi)。

5.根據(jù)權利要求1至4任一項所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括：位于所述異質結(11)上的P型半導體層(13)。

6.根據(jù)權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括：位于所述P型半導體層(13)上的柵極(14a)、位于所述柵極(14a)兩側的源極(14b)以及位于所述半導體襯底背面(10b)的漏極(14c)。

7.根據(jù)權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，所述異質結(11)自下而上包括溝道層(11a)與勢壘層(11b)，所述源極(14b)接觸所述溝道層(11a)或所述勢壘層(11b)。

8.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括：位于所述柵極區(qū)域(11c)上的柵極結構(14d)、位于所述柵極結構(14d)兩側的源極(14b)以及位于所述半導體襯底背面(10b)的漏極(14c)；所述柵極結構(14d)自下而上包括：柵極絕緣層(14e)與柵極(14a)。

9.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括：位于所述柵極區(qū)域(11c)上的柵極結構(14d)、位于所述柵極結構(14d)兩側的源極(14b)以及位于所述半導體襯底背面(10b)的漏極(14c)；所述柵極結構(14d)自下而上包括：柵極氧化層(14f)與柵極(14a)。

10.根據(jù)權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體襯底(10)的材料為N型碳化硅或N型單晶硅，所述P型層(12a)的材料為P型III族氮化物材料；或所述半導體襯底(10)的材料為P型碳化硅或P型單晶硅，所述N型層(12b)的材料為N型III族氮化物材料。