[實用新型]一種對稱雙振膜水平全指向壓縮高音揚聲器有效
| 申請號: | 202021362425.4 | 申請日: | 2020-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN212344059U | 公開(公告)日: | 2021-01-12 |
| 發明(設計)人: | 哈海學;倪勇;沈艷軍;劉斌 | 申請(專利權)人: | 深圳東原電子有限公司 |
| 主分類號: | H04R9/06 | 分類號: | H04R9/06;H04R9/02 |
| 代理公司: | 廣東國欣律師事務所 44221 | 代理人: | 李文 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 對稱 雙振膜 水平 指向 壓縮 高音 揚聲器 | ||
本實用新型公開了一種對稱雙振膜水平全指向壓縮高音揚聲器;包括:上聲道盤、下聲道盤、上發音裝置、下發音裝置、上蓋板、下蓋板組成;其特征在于:所述上聲道盤與下聲道盤結構相同;所述上聲道盤與下聲道盤整體結構為漏斗型設計;其截面為外表面中心高四周低設計;所述上聲道盤與下聲道盤外表面由圓心向邊緣方向設置有多個隔音板,所述上聲道盤與下聲道盤外表面設置隔音板后隔音板上端為一平面;所述上聲道盤與下聲道盤設置隔音板后相對配合設置,且上聲道盤與下聲道盤內的隔音板相對配合連接,相鄰兩個隔音板之間形成泄聲通道,該泄聲通道結構由內向外開口逐漸變大。
技術領域
本實用新型涉及工業制造領域,尤其涉及一種對稱雙振膜水平全指向壓縮高音揚聲器。
背景技術
自從2015年Amazon智能音箱ECHO面世以來,智能音箱如雨后春筍般蓬勃發展。水平360度全指向一向是智能音箱產品的主流聲學設計。其中低音部分由于低頻聲波的波長較長,繞射能力強,基本上沒有瓶頸,一般的朝上或朝下安裝的低音都能滿足水平360°全指向的要求。但是中高頻由于波長短,偏軸響應衰減過大,因此成為各大品牌智能音箱產品設計上的硬傷。目前市場產品在中高音方案上主流的應用方式是利用多個揚聲器單元構成環形線陣,以滿足水平360°全指向的聲性能需求,比如蘋果HomePod,華為Sound X智能音箱產品。
這樣設計由于使用了多個高音揚聲器,形成多個點聲源分布,在音箱四周任意聽音位置上,多個點聲源到人耳有距離差,偏軸角度差,因此造成耳朵接收到的聲波存在相位差/時間差,形成聲干涉,產生諧波失真。不同位置的聲壓偏差很大,形成很不均勻的聲場。不同位置的聽感偏差較大。由于干涉引起的相位紊亂使得聲像定位飄忽不準,音質渾濁不夠干凈,細節模糊不夠細膩,造成音質損失。同時揚聲器的近場聲壓級很高,因此遠場拾音的麥克風陣列安裝位置一定要選揚聲器指向性盲區,多揚聲器環形線陣安裝在圓柱面上,其垂直指向性沒有硬性限制,沒有明顯的指向性盲區,如果在音箱播放音樂時去遠場喚醒,受到干擾較大。而且,由于使用多個高音揚聲器,成本較高,提高產品的能耗,產品性價比較低。
實用新型內容
本實用新型的目的是為了解決現有技術中的問題,本技術提供了一種對稱雙振膜水平全指向壓縮高音揚聲器,在高音揚聲器被相對安裝的兩張振膜相對振動輻射出聲波;單振膜輻射的聲波在振膜與相位塞之間進行一級壓縮后通過單邊相位塞的6個泄聲口進入6個第一泄聲通道;兩張振膜輻射的聲波經一級壓縮后進入第一泄聲通道匯聚進行二級壓縮;然后6個第一泄聲通道的聲波通過分別設置的各10個第二泄聲通道進入號角陣列并輻射出去。本技術總共有6×10=60個中心對稱的環狀號角陣列,產品總成的輻射指向性范圍H×V為360°×60°。其泄聲通道的入口呈梯形,靠近底部位置較寬,靠近球頂位置較窄,面積為振膜面積的1/18,一級壓縮腔的壓縮比為3:1,第一泄聲通道總共6個,每個二級壓縮腔聯通10個,這60個號角環狀均布在360°的圓周上向外輻射聲音。
本實用新型采用了如下技術方案:
一種對稱雙振膜水平全指向壓縮高音揚聲器;包括:上聲道盤、下聲道盤、上發音裝置、下發音裝置、上蓋板、下蓋板組成;其特征在于:所述上聲道盤與下聲道盤結構相同;所述上聲道盤與下聲道盤整體結構為漏斗型設計;其截面為外表面中心高四周低設計;所述上聲道盤與下聲道盤外表面由圓心向邊緣方向設置有多個隔音板,所述上聲道盤與下聲道盤外表面設置隔音板后隔音板上端為一平面;所述上聲道盤與下聲道盤設置隔音板后相對配合設置,且上聲道盤與下聲道盤內的隔音板相對配合連接,相鄰兩個隔音板之間形成泄聲通道,該泄聲通道結構由內向外開口逐漸變大;所述上聲道盤與下聲道盤內表面安裝有上發音裝置與下發音裝置;所述上發音裝置與下發音裝置結構相同且相對設置;所述上蓋板與下蓋板結構相同且相對設置,所述上蓋板與上聲道盤內表面邊緣相互安裝且將上發音裝置包裹于內部;所述下蓋板與下聲道盤內表面邊緣相互安裝且將下發音裝置包裹于內部;所述上聲道盤與下聲道盤內部設置有上泄聲口與下泄聲口;所述上發音裝置與下發音裝置發生方向經上泄聲口與下泄聲口進入泄聲通道內。
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