[實用新型]一種砷化鎵晶體生長用單晶爐

有效

• 申請號: 202021102900.4
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN213172685U
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 馬爭榮;王建玲
• 申請（專利權）人: 高密普特電子設備有限公司
• 主分類號: C30B29/42
• 分類號: C30B29/42;C30B11/00
• 代理公司: 濟南誠智商標專利事務所有限公司 37105
• 代理人: 殷盛江

1.一種砷化鎵晶體生長用單晶爐，包括爐體(1)，其特征在于：所述爐體(1)的頂部固定安裝有爐蓋(4)，所述爐體(1)的左側壁內部固定安裝有觀察窗(5)，所述觀察窗(5)的下方且位于爐體(1)的內部固定安裝有數量為三個的射頻線感應圈(6)，所述爐體(1)的底部固定安裝有夾持座(2)，所述夾持座(2)的底部固定安裝有固定座(3)，所述固定座(3)的內部固定安裝有電機(7)，所述電機(7)輸出軸的頂部且位于的固定座(3)的內部固定安裝有減速器(8)，所述減速器(8)遠離電機(7)輸出軸的一端固定安裝有延伸至爐體(1)內部的轉動軸(9)，所述轉動軸(9)的外側且位于爐體(1)的內部固定安裝有軸承(10)，所述轉動軸(9)的外側且位于軸承(10)的上方活動安裝有托盤(11)，所述托盤(11)的外側固定安裝有數量為四個的連接座(12)，四個所述連接座(12)的內側均固定安裝有延伸至爐體(1)內側壁的固定桿(13)，所述轉動軸(9)遠離減速器(8)的一端固定安裝有受熱箱(14)。

2.根據權利要求1所述的一種砷化鎵晶體生長用單晶爐，其特征在于：所述托盤(11)呈圓餅狀，托盤(11)的中部開設有與轉動軸(9)相適配的通孔，四個所述連接座(12)呈對稱式位于托盤(11)的外側。

3.根據權利要求1所述的一種砷化鎵晶體生長用單晶爐，其特征在于：四個所述固定桿(13)遠離連接座(12)的一端均固定安裝有連接片，四個連接片遠離固定桿(13)的一端均與爐體(1)的內側壁固定連接。

4.根據權利要求1所述的一種砷化鎵晶體生長用單晶爐，其特征在于：所述爐體(1)的左側壁內部開設有與觀察窗(5)相適配的安裝槽，觀察窗(5)的截面呈平行四邊形。

5.根據權利要求1所述的一種砷化鎵晶體生長用單晶爐，其特征在于：所述固定座(3)的內部固定安裝有電機固定盒，電機固定盒的內部開設有與電機(7)相適配的安裝室。

6.根據權利要求1所述的一種砷化鎵晶體生長用單晶爐，其特征在于：所述爐體(1)的內部開設有加熱室腔，加熱室腔的外側且位于爐體(1)的內部開設有數量為三個與射頻線感應圈(6)相適配的安裝孔，三個射頻線感應圈(6)的間距相等。