[實(shí)用新型]一種氮化硅陶瓷上金屬圍壩的共晶焊接結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202021071118.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN212451222U | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周孔禮 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 山西華微紫外半導(dǎo)體科技有限公司;周孔禮 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C04B37/02 | 分類(lèi)號(hào): | C04B37/02;C04B41/88 |
| 代理公司: | 深圳市華盛智薈知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44604 | 代理人: | 胡國(guó)英 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氮化 陶瓷 金屬 焊接 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種氮化硅陶瓷上金屬圍壩的共晶焊接結(jié)構(gòu),其特征在于:包括氮化硅陶瓷基板(1),所述氮化硅陶瓷基板(1)上設(shè)置有金屬線路涂層(2),沿著所述金屬線路涂層(2)設(shè)置有用于焊接的合金金屬層(3),所述合金金屬層(3)的形狀與所述金屬線路涂層(2)的形狀適配,所述合金金屬層(3)上設(shè)置有圍壩(4),所述圍壩(4)的下端面形狀與所述合金金屬層(3)的形狀適配。
2.如權(quán)利要求1所述的一種氮化硅陶瓷上金屬圍壩的共晶焊接結(jié)構(gòu),其特征在于:所述金屬線路涂層(2)包括焊接部(2a)和連接部(2b)。
3.如權(quán)利要求2所述的一種氮化硅陶瓷上金屬圍壩的共晶焊接結(jié)構(gòu),其特征在于:所述焊接部(2a)呈圓環(huán)狀,且所述連接部(2b)呈“T”字形狀,所述連接部(2b)的一端連接到所述焊接部(2a)的外周邊沿。
4.如權(quán)利要求3所述的一種氮化硅陶瓷上金屬圍壩的共晶焊接結(jié)構(gòu),其特征在于:所述合金金屬層(3)呈圓環(huán)狀,且所述合金金屬層(3)的內(nèi)部邊沿對(duì)應(yīng)到所述焊接部(2a)的中線位置。
5.如權(quán)利要求4所述的一種氮化硅陶瓷上金屬圍壩的共晶焊接結(jié)構(gòu),其特征在于:所述圍壩(4)呈圓環(huán)狀,且所述圍壩(4)的下端厚度小于所述合金金屬層(3)的寬度。
6.如權(quán)利要求5所述的一種氮化硅陶瓷上金屬圍壩的共晶焊接結(jié)構(gòu),其特征在于:所述圍壩(4)采用金屬或者氮化硅陶瓷制成。
7.如權(quán)利要求6所述的一種氮化硅陶瓷上金屬圍壩的共晶焊接結(jié)構(gòu),其特征在于:所述氮化硅陶瓷基板(1)包括第一表面(1a)和與該第一表面(1a)相對(duì)的第二表面(1b),所述金屬線路涂層(2)設(shè)置在所述第一表面(1a),所述第二表面(1b)設(shè)置有延伸線路涂層(5),且該延伸線路涂層(5)與所述金屬線路涂層(2)接通。
8.如權(quán)利要求7所述的一種氮化硅陶瓷上金屬圍壩的共晶焊接結(jié)構(gòu),其特征在于:所述氮化硅陶瓷基板(1)上設(shè)置有多個(gè)所述焊接部(2a),每個(gè)所述焊接部(2a)對(duì)應(yīng)一個(gè)所述合金金屬層(3)和一個(gè)圍壩(4),且每個(gè)所述焊接部(2a)對(duì)應(yīng)的所述連接部(2b)接通為一體。
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