[實用新型]一種SiC異質結晶體管外延結構及器件有效
| 申請號： | 202021004350.2 | 申請日： | 2020-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN212874491U | 公開（公告）日： | 2021-04-02 |
| 發明（設計）人： | 鈕應喜;左萬勝;劉洋;張曉洪;劉錦錦;袁松;胡新星;史田超;史文華;鐘敏;郗修臻 | 申請（專利權）人： | 蕪湖啟迪半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/165;H01L29/04;H01L29/778 |
| 代理公司： | 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖市弋江*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic 結晶體 外延 結構 器件 | ||
1.一種SiC異質結晶體管外延結構，其特征在于，所述SiC異質結晶體管外延結構由下至上依次包括C面4H-SiC襯底、4H-SiC外延層、N型3C-SiC外延層；
所述C面4H-SiC襯底和4H-SiC外延層之間還包括P型4H-SiC緩沖層、和/或P型4H-SiC外延層。
2.根據權利要求1所述的SiC異質結晶體管外延結構，其特征在于，所述P型4H-SiC緩沖層位于P型4H-SiC外延層的下面。
3.根據權利要求1所述的SiC異質結晶體管外延結構，其特征在于，所述P型4H-SiC緩沖層的厚度為20～200nm。
4.根據權利要求1所述的SiC異質結晶體管外延結構，其特征在于，所述P型4H-SiC外延層的厚度為5～10μm。
5.根據權利要求1所述的SiC異質結晶體管外延結構，其特征在于，所述4H-SiC外延層的厚度為5～10μm；所述N型3C-SiC外延層厚度為5～10μm。
6.一種包含權利要求1-5任意一項所述的SiC異質結晶體管外延結構的器件。
7.根據權利要求6所述的器件，其特征在于，所述N型3C-SiC外延層上分別設置有源極、柵極、漏極；所述源極、漏極分別設置于3C-SiC外延層上的兩端；所述柵極位于源極和漏極之間。
8.根據權利要求7所述的器件，其特征在于，所述柵極與源極之間設置有SiN隔離層；所述柵極與漏極之間設置有SiN隔離層。
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