[實用新型]一種提升容值的補償電容結構

有效

• 申請號: 202020948485.8
• 申請日: 2020-05-29
• 公開（公告）號: CN212084973U
• 公開（公告）日: 2020-12-04
• 發明（設計）人: 宋爽
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;H01L49/02
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 徐劍兵;林祥翔

1.一種提升容值的補償電容結構，其特征在于，包括：

在基板上設置有第一極板金屬和第一柵極金屬，第一柵極金屬位于第一極板金屬的一側，第一極板金屬用于作為電容的組成部分；

在第一極板金屬和第一柵極金屬上設置有第一絕緣層；

在第一柵極金屬區域的第一絕緣層上設置有第二半導體層；

在第二半導體層和第一絕緣層上設置有第二絕緣層；

在第二絕緣層上設置有第二極板金屬和第二極板金屬，第二極板金屬位于第一極板金屬的區域的第二絕緣層上，第二極板金屬位于第二半導體層區域的第二絕緣層上，第二極板金屬用于作為電容的組成部分；

在第二絕緣層、第二極板金屬和第二極板金屬上設置有第三絕緣層；

在第三絕緣層上設置有第二過孔和第三過孔，第二過孔的底部為第一極板金屬并位于第二極板金屬的一側，第三過孔的底部為第二半導體層并位于第二極板金屬的外側；

在第三絕緣層上設置有第三極板金屬和源漏極金屬，第三極板金屬通過第二過孔連接第一極板金屬，第三極板金屬用于作為電容的組成部分，源漏極金屬通過第三過孔連接第二半導體層。

2.根據權利要求1所述的一種提升容值的補償電容結構，其特征在于，還包括：

在第一極板金屬區域的第一絕緣層上設置有第一半導體層，第二極板金屬通過第二絕緣層上的第一過孔與第一半導體層連接。