[實用新型]集成電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202020863679.8 | 申請日: | 2020-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN212277198U | 公開(公告)日: | 2021-01-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | F·塔耶特 | 申請(專利權(quán))人: | 意法半導體(魯塞)公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 董莘 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 | ||
本公開的實施例涉及集成電路。第一電源軌作為配置有耦合件的電源樹來提供,以將電源電壓分配給電路的有源元件。第二電源軌作為靜電放電通道來提供,并且沒有配置到電路的有源元件的分配樹耦合件。第一靜電放電電路直接電連接在第二電源軌的一端與接地軌之間。第二靜電放電電路直接電連接在互連節(jié)點與接地軌之間。互連節(jié)點將第二電源軌的另一端電互連到第二靜電放電電路處的第一電源軌。本實用新型的實施例提出了一種簡單且廉價的器件,使得能夠完全消除用于集成電路不受靜電放電傷害的保護中的故障風險,該器件表現(xiàn)出減小的體積和改進的性能,特別是在可預測性方面。
技術(shù)領(lǐng)域
實施例涉及集成電路,并且具體涉及集成電路中用于保護不受靜電放電傷害的器件。
背景技術(shù)
用于集成電路靜電放電(ESD)保護的電路系統(tǒng)受到在電路內(nèi)部的大電流(通常為幾安培)的影響。
這些大電流必須經(jīng)由特定的通路在接收放電的端子之間流動通過芯片的內(nèi)部。
作為一般規(guī)則,這些路徑包括連接到電源軌的專用保護部件,被配置為限幅靜電放電,放電電流將流動通過該路徑。
在集成電路互連層(BEOL,用于線路后端)中,電源軌通常由金屬軌道構(gòu)成,并將電源電壓和參考電壓分配給集成電路上各個點的有源部件。
通常,有源部件可以連接在電源軌上的任何點上,并且能夠在承受規(guī)定的被擊穿的最大電壓。有源部件對電源電壓中的過電壓特別靈敏。
由于歐姆電壓降,在靜電放電期間,電源軌上的電壓等于專用保護部件的端子兩端的電壓加上放電電流對電源軌電阻的流動而生成的電壓。
因此,電源軌一端處的電壓通常高于最大擊穿電壓,并且有源部件連接到的電源軌上的點(相當于分壓器電橋)處的電壓很可能也高于最大擊穿電壓。
已經(jīng)提出通過增加軌道的寬度來降低軌道的電阻,但這會導致有害的體積。
調(diào)整保護部件以降低端子兩端的電壓,除了在技術(shù)上困難和昂貴之外,還受到電源電壓與最大擊穿電壓之間的權(quán)衡的限制。
增加保護部件的數(shù)目通常會導致隨機和難以控制的行為。
因此,需要降低集成電路靜電放電(ESD)保護過程中發(fā)生故障的風險。
實用新型內(nèi)容
鑒于上述問題,根據(jù)本公開的實施例,所提出的是一種簡單且廉價的器件,使得能夠完全消除用于集成電路不受靜電放電傷害的保護中的故障風險,該器件表現(xiàn)出減小的體積和改進的性能,特別是在可預測性方面。
根據(jù)本實用新型,提出了一種集成電路,該集成電路包括:第一電源軌,被配置為將供電電壓分配給所述集成電路的有源元件;以及用于保護不受靜電放電傷害的器件,所述器件包括:第二電源軌,被配置為在電源引腳與接地引腳之間引導靜電放電電流,所述第二電源軌未被連接到所述電路的任何有源元件;以及具有輸入端子的第一靜電放電限幅器件;其中所述第一電源軌在所述第一靜電放電限幅器件的所述輸入端子上經(jīng)由所述第二電源軌被連接到所述電源引腳。
在一個或多個實施例中,所述第一靜電放電限幅器件還具有直接連接到所述接地端子的參考端子。
在一個或多個實施例中,所述第二電源軌連接到所述電源引腳以及連接到所述第一靜電放電限幅器件的所述輸入端子。
在一個或多個實施例中,集成電路還包括接地分配樹,所述接地分配樹被連接到所述接地引腳,所述接地分配樹被配置為將接地電壓分配給所述電路的有源元件,其中所述用于保護不受靜電放電傷害的器件包括第二靜電放電限幅器件,所述第二靜電放電限幅器件直接連接到所述電源引腳以及直接連接到所述接地分配樹上的點。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





