[實用新型]一種防止打火的等離子刻蝕裝置的下電極結構

有效

• 申請號: 202020751930.1
• 申請日: 2020-05-09
• 公開（公告）號: CN211957593U
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 王鋮熠;劉小波;郭頌;侯永剛;李娜;張軍;胡冬冬;許開東
• 申請（專利權）人: 北京魯汶半導體科技有限公司
• 主分類號: H01J37/04
• 分類號: H01J37/04
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 肖鵬

1.一種防止打火的等離子刻蝕裝置的下電極結構，包括下電極(1)和外部進氣通道(2)；所述下電極(1)的上表面設置有冷卻氣槽(102a)；冷卻氣體經外部進氣通道(2)進入冷卻氣槽(102a)；其特征在于：所述外部進氣通道(2)內靠近下電極(1)的一端沿氣流方向嵌入設置有多個首尾相連的毛細管(3)；每個所述毛細管(3)的兩端均設置有臺階沉槽(301)；

每個所述毛細管(3)包括多個沿氣流方向的流通支管(302)；所述流通支管(302)的兩端開設在臺階沉槽(301)的槽底；相鄰的兩個毛細管(3)的流通支管(302)交錯布置。

2.根據權利要求1所述的防止打火的等離子刻蝕裝置的下電極結構，其特征在于：相鄰的兩個毛細管(3)的流通支管(302)沿徑向交錯布置。

3.根據權利要求2所述的防止打火的等離子刻蝕裝置的下電極結構，其特征在于：所述下電極(1)包括底板(101)和固定在底板(101)上的頂板(102)；所述冷卻氣槽(102a)設置在頂板(102)上表面；所述頂板(102)的下表面加工有冷卻氣通道(102b)；所述底板(101)上設置有冷卻氣進口(101a)；

外部進氣通道(2)的冷卻氣體依次流經冷卻氣進口(101a)、冷卻氣通道(102b)和冷卻氣槽(102a)。

4.根據權利要求3所述的防止打火的等離子刻蝕裝置的下電極結構，其特征在于：所述冷卻氣槽(102a)為環狀。

5.根據權利要求4所述的防止打火的等離子刻蝕裝置的下電極結構，其特征在于：所述下電極(1)的外部設置有絕緣殼；所述絕緣殼包括固定在下電極(1)下方的陶瓷座(103)、圍繞在下電極(1)側壁外周的絕緣環(104)和固定在下電極(1)上方的陶瓷壓環(105)。

6.根據權利要求5所述的防止打火的等離子刻蝕裝置的下電極結構，其特征在于：還包括底座(106)、屏蔽環(107)和限制環(108)；所述底座(106)固定在反應腔體底部；所述屏蔽環(107)和限制環(108)依次設置在底座(106)上方；所述下電極(1)及其絕緣殼置于底座(106)上方，且位于屏蔽環(107)和限制環(108)內。