[實用新型]高選擇性陣列MOS傳感器

有效

• 申請號: 202020694718.6
• 申請日: 2020-04-29
• 公開（公告）號: CN212540216U
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 孫建海;陳婷婷;趙佩月
• 申請（專利權）人: 中國科學院空天信息創新研究院
• 主分類號: G01N27/12
• 分類號: G01N27/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 吳夢圓

1.一種陣列MOS傳感器，其特征在于，包括：

基底；

多個敏感單元，形成于所述基底上，所述多個敏感單元形成陣列結構；

加熱器，形成于所述基底上，所述敏感單元外圍；

電極層，形成于所述基底上，所述電極層與敏感單元和加熱器電連接；

其中，所述電極層包括多個引出端，用于監測不同敏感單元組合的端點電位。

2.如權利要求1所述的陣列MOS傳感器，其特征在于，其中，所述多個引出端的其中一個引出端用于接地，另外一個引出端用于連接可調節電位，剩余其他引出端為電位探測端。

3.如權利要求1或2所述的陣列MOS傳感器，其特征在于，所述陣列MOS傳感器包括：

三個矩形敏感單元，三個矩形敏感單元形成矩形陣列結構；

四個引出端，分別位于矩形陣列結構的四個端部，四個引出端分別定義為第一引出端、第二引出端、第三引出端和第四引出端；其中，第一引出端用于接地；第四引出端用于連接可調節電位；第二引出端和第三引出端分別為電位探測端；

兩個加熱器，分別對稱形成于所述敏感單元外圍。

4.如權利要求1所述的陣列MOS傳感器，其特征在于，其中，所述電極層包括平行板電極結構或者叉指電極結構；

所述電極層的材料包括Au/Cr，所述電極層的厚度包括100～300nm。

5.如權利要求4所述的陣列MOS傳感器，其特征在于，所述電極層的厚度為200nm。

6.如權利要求1所述的陣列MOS傳感器，其特征在于，

所述多個敏感單元的敏感材料均相同、均不同或者其中部分相同；

所述敏感材料為納米尺寸顆粒。

7.如權利要求1所述的陣列MOS傳感器，其特征在于，所述加熱器的材料包括Pt/Cr，所述加熱器的厚度包括100～300nm。

8.如權利要求7所述的陣列MOS傳感器，其特征在于，所述加熱器的厚度為120nm。

9.如權利要求1所述的陣列MOS傳感器，其特征在于，所述基底由下到上包括硅襯底和氮化硅層；

所述硅襯底背部形成背腔，所述背腔對應所述敏感單元的敏感區域位置，所述背腔對應位置的基底形成支撐梁。

10.如權利要求9所述的陣列MOS傳感器，其特征在于，所述支撐梁的厚度包括5～10微米；

所述氮化硅層的厚度包括0.2～1微米。