[實用新型]一種石墨卡點及石墨舟

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202020656768.5
• 申請日: 2020-04-26
• 公開（公告）號: CN212404276U
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張明明;徐順波;陳園;邱江南;雷佳;宋賢德;晏鵬輝
• 申請（專利權(quán)）人: 江西展宇新能科技有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 張欣然

本實用新型公開一種石墨卡點，卡點基座和卡點帽之間通過連接柱固定連接；卡點基座、卡點帽和連接柱圍成用于卡裝硅片的卡槽；卡點帽的表面包括相互對接的豎直面和導(dǎo)向斜面，豎直面位于槽底一側(cè)，與卡點基座的間距相等；導(dǎo)向斜面位于槽頂一側(cè)，與卡點基座的間距從槽頂側(cè)向槽底側(cè)逐漸縮小；導(dǎo)向斜面呈傾斜設(shè)置，起到導(dǎo)向的作用，靠近槽頂位置的寬度較大，硅片插入時有更大的容錯空間，當硅片沒有正對豎直面與卡點基座時，由導(dǎo)向斜面使硅片滑入；當硅片進入豎直面與卡點基座之間時，由于豎直面與卡點座平行，硅片可恰好卡在平直的夾縫中，實現(xiàn)穩(wěn)定的卡裝，本實用新型的石墨卡點既具有更大的容錯空間，又能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的卡裝。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及電池生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，更進一步涉及一種石墨卡點。此外，本實用新型還涉及一種石墨舟。

背景技術(shù)

PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)，即鈍化發(fā)射極和背面電池技術(shù)，PERC技術(shù)通過在電池的后側(cè)上添加一個電介質(zhì)鈍化層來提高轉(zhuǎn)換效率。

單晶PERC電池生產(chǎn)過程中，正面減反，外觀及鈍化等功能的這必不可少的工序主要是在正面通過等離子形成一層致密的氮化硅膜。鍍膜工序主要是采用等離子增強化學(xué)氣相沉積的方法達成的，而石墨舟及卡點結(jié)構(gòu)作為常用的硅片承載工具，石墨也是一種良好的導(dǎo)電導(dǎo)熱介質(zhì)，在目前工藝條件下無法被替代。具體操作過程：將硅片通過自動化或人工的形式插入石墨舟，通過固定卡點定位，然后石墨舟推入真空鍍膜設(shè)備中沉積氮化硅。

現(xiàn)有的卡點結(jié)構(gòu)分為兩種結(jié)構(gòu)，第一種為直槽式卡點，如圖1A所示；第二種為斜槽式卡點，如圖1B所示。

直槽卡點設(shè)計的槽兩側(cè)均為豎直側(cè)面，槽各處的寬度相等，兩側(cè)壁之間的間距為卡定硅片的寬度，當硅片插入時需要精準對位直槽，否則無法插入，自動化插取空間較小，難以準確對準插入；由于槽內(nèi)尺寸較小，正常插入硅片能夠保持貼附緊密，但硅片沒有對準槽插入時容易掉片碎片，在沉積氮化硅過程中造成正膜色差問題，產(chǎn)線一直會有一部分色差返工及掉片碎片存在。

斜槽卡點設(shè)計的槽內(nèi)尺寸相對直槽較大，槽寬度從槽底向槽頂逐漸增大，呈楔形空間，在自動化一定精度下，相對插片容易掉片會少，但容易搭邊且沉積氮化硅時容易貼附不緊。在沉積氮化硅過程中容易造成高頻而使正面卡點燒焦及產(chǎn)能損失問題。燒焦區(qū)域容易凸起在網(wǎng)版印刷過程中容易扎破網(wǎng)版相對應(yīng)區(qū)域，故會進一步影響正極網(wǎng)版壽命提高生產(chǎn)成本。貼附不緊湊容易在等離子沉積氮化硅時各區(qū)域因接觸性差異導(dǎo)致沉積速率差異較大，膜色均勻性會很差，造成色差降級。所以產(chǎn)線一直會有高頻返工存在，且網(wǎng)版壽命容易受燒焦卡點影響。

對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，如何穩(wěn)定卡裝硅片，由于便于插入，是目前需要解決的技術(shù)問題。

實用新型內(nèi)容

本實用新型提供一種石墨卡點，硅片更容易插入，且卡裝更加穩(wěn)固，具體方案如下：

一種石墨卡點，包括卡點基座和卡點帽，所述卡點基座和所述卡點帽之間通過連接柱固定連接；所述卡點基座的直徑和所述卡點帽的直徑分別大于所述連接柱的直徑，所述卡點基座、所述卡點帽和所述連接柱圍成用于卡裝硅片的卡槽；

所述卡點帽表面包括相互對接的豎直面和導(dǎo)向斜面，所述豎直面位于槽底一側(cè)，與所述卡點基座的間距相等；所述導(dǎo)向斜面位于槽頂一側(cè)，與所述卡點基座的間距從槽頂側(cè)向槽底側(cè)逐漸縮小。

可選地，所述卡點基座的兩側(cè)面分別設(shè)置一個所述卡點帽，在所述卡點基座的兩側(cè)形成兩個卡槽。

可選地，所述導(dǎo)向斜面為外凸的圓弧面。

可選地，所述導(dǎo)向斜面的縱截面端部為半徑0.4-0.6mm的圓弧。

可選地，所述豎直面與所述卡點基座之間的間距為硅片厚度的1.5～2 倍。

可選地，所述導(dǎo)向斜面與所述豎直面相交位置的切角為30-50度。